ТРАНЗИСТОРНО-ТРАНЗИСТОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ «И —НЕ» Советский патент 1973 года по МПК H03K19/88 

1

Изобретение относится к элементам цифровых вычислительиых машии.

Известны транзисторно - транзисторные элементы «И - НЕ, содержащие входной многоэмиттерный транзистор, коллектор которого соединен с базой промежуточного транзистоipa 11 эмиттером дополнительного транзиетора, подключенного базой к эмиттеру промежуто ч1юго траНзистора, а коллектором к общей шине через резистор и к базе выходного инвертирующего транзистора с иапрузочиым тра}1зистором в цени коллектора, соединенным базой с коллектором уси.штельного транзистора.

Целью изобретения является умеиьщение потребляемой мощности и увеличение нагрузочной способности устройства.

Для этого в предлагаемом транзисторнотранзисторном эле:.:енте «И - ИЕ коллектор и база усилительного транзистора через резнеторы соединены соответственно с коллекторами нромежуточного li дополнительного траи3 и сторон.

На чертеже представлена прИ1и.и1Н11алы1ая схема предл1агае|МОго транз,истор ю-транз;Исторпого элемента «Н-НЕ.

Коллектор входного миогоэ.миттерного транзистора ./ соединен с базой промежуточного транзистора 2 и эмиттером дополнительного транзистора 3 каскада 4. Эмиттер транзисто2

ра 2 соед:п1ен с базой Т1)анзистора 5. Коллекторы траизисторов 2 и 3 каскада 4 через резисто зы 5 и 6 еоедмне11Ы соответственно с коллектором и базой транзистора 7 усилительного каскада 8. Коллектор транзистора 3 соединен с базой инвертирующего транзистора 9 выходного каскада 10 и через резистор Не общей шиной. Коллектор транзистора 7 усилительного каскада 8 соединен с базой нагрузочного транзистора 12 выходного каскада fO, Коллекторы трапз 1сторов 2 и 12 через резисторы 13 п 14 соединены соответственно с шиной питания.

ripi подаче на вход входного мпогоэмиттерного транзистора / высокого напряжении ток, за,аваемый резистором /5, переключается в базу транзистора 2 каскада 4, который отк;;ьувается :i насыщается. При этол напряжение в коллекторе транзистора 2 падает, а падение панряжеНПя на резпсторе // возрастает. Это приводит к запиранню транзистора 12 выходного каскада 10 и отпирант-по транзистора 7 усилительного каскада 8 и инвертирующего транзистора 9 с заземленным эмиттером. Напряжение па выходе 16 уетройства уменьшается до значения напряжения насыщения между коллектором и эмиттером открытого транзистора. То;к через резистор 13 ответвляется в коллектор транзистора 2 п через рези