РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬ НА ТРАНЗИСТОРАХ Советский патент 1974 года по МПК H03K17/60 

1

Изобретение относится к радиотехнике.

Устройство может быть использовано в качестве распределителя импульсов в радиоизмерительной технике и телемеханике.

Известен распределитель на транзисторах (авт. св. № 283292), содержащий в каждой ячейке мостовые импульсные элементы задержки. Для повышения надежности работы схемы база транзистора i-той ячейки распределителя соединена с коллектором t+1-вой ячейки цепочкой нелинейной обратной связи, состоящей из последовательно включенных конденсатора и диода, зашунтированпого резистором.

При работе распределителя в наносекундном диапазоне длительность задних фронтов формируемых импульсов значительно больше длительности передних фронтов импульсов, что приводит к временному наложению выходных импульсов соседних ячеек распределителя и к сбоям в работе.

С целью повышения надежности работы схемы в паносекундном диапазоне, в предлагаемом распределителе параллельно коллекторной нагрузке р-п-р транзистора t-той ячейки включен коллекторно-эмиттерный переход второго п-р-п транзистора так, что его коллектор соединен с коллектором первого транзистора, а база через резистор-с эмиттером второго транзистора и через конденсатор - с

катодом диода цепочки нелинейной обратной связи, включенной меледу г-той и i+1-вой ячейками.

Принципиальная схема устройства изображена на чертеже.

Распределитель содержит ячейки 1о-U на мостовых импульсных элементах задержки, каждый из которых включает р-п-р транзисторы 2, развязывающие 3 и переключающие 4

диоды, конденсаторы 5 и резисторы 6-8. Одна ветвь моста импульсного мостового элемента образуется из последовательно соединенных резистора 7 и конденсатора 5, включенных между отрицательной шиной источника коллекторного напряжения и базой транзистора 2. Другая ветвь - общая, в виде делителя напряжения из резисторов 9 и 10, включенного между клеммами источника коллекторного напряжения.

В диагонали мостов импульсных мостовых элементов включены переключающие диоды 4. Параллельно коллекторной нагрузке 6 транзистора 2 каждой ячейки распределителя включен коллекторно-эмиттерный переход

п-р-п транзистора 11, база которого соединена резистором 12 с отрицательной шиной источника коллекторного напряжения.

Между коллектором транзистора 2 каждой ячейки и базой транзистора 2 каждой предыдущей ячейки включены цепочки нелинейной

обратной связи, содержащие последовательно включенные диод 13, шунтированный резистором 14, и конденсатор 15. База транзистора И каждой ячейки соединена через конденсатор 16 с катодом диода 13, подключенного анодом к коллектору транзистора 2 каждой последующей ячейки. Первый каскад распределителя состоит из тех же элементов, что и ячейки, за исключением ветви моста импульсного мостового элемента и транзистора, включенного параллельно коллекторной нагрузке основного транзистора.

При подаче на вход первого каскада распределителя стартового импульса отрицательной полярностн гранзнстор ячейки io входит в режим насыщения, и конденсатор 5 начинает разрял аться через резистор 8, открытый диод 3 и нереход коллектор--эмиттер транзистора 2 яченки 1о с относнте.чьно iviajioii постоянной времени. Длительность стартового импульса подбирают таким образом, чтобы конденсатор успел разрядиться практически полностью. После окончания стартового импульса транзистор 2 ячейки 1о выходит из режима насыщения, диод 3 закрывается, и конденсатор начинает заряжаться через резистор 7.

Зарядный ток конденсатора протекает по переходу база - эмиттер транзистора 2 ячейки li, вводит его в режим насыщения, и конденсатор второй ячейки разряжается так же, как конденсатор первой ячейки, подготавливая к работе вторую ячейку.

Транзистор 2 находится в режиме насыщения до момента, нри котором нанряжение на конденсаторе первой ячейки достигает уровня, равного нанряжению делителя 9, 10. В этот момент диод 4 начинает открываться, переключая на себя часть зарядного тока конденсатора 5. Уменьшение зарядного тока приводит к выводу транзистора 2 ячейки из режима насыщения и закрытию диода 3. После отключения диода 3 конденсатор второй ячейки начинает заряжаться через резистор 7. Зарядный ток конденсатора вводит транзистор 2 ячейки Ь в режнм насыщения. Изменение напряжения на коллекторе транзистора 2 ячейки Ь через диод 13 и конденсаторы 15, 16 поступает на базы транзисторов ячейки li, открывая транзистор 11 и еще более запирая транзистор 2. Лавинообразный процесс приводит к быстрому переключению

транзисторов 2 соседних ячеек и формированию выходных импульсов с укороченными передними и задними фронтами. Включение на время протекания лавинообразного процесса транзистора 11 приводит к временному шунтированию коллекторной нагрузки 6 транзистора 2 открытым переходом коллектор - эмиттер транзистора 11 и значительному уменьшению длительности задних фронтов формируемых импульсов.

При одинаковых частотных свойствах транзисторов 2 и 11 ячеек распределителя задние фронты выходных импульсов становятся равными по длительности передним фронтам, независимо от длительности выходных импульсов. Это обеспечивает минимальное временное наложение импульсов, формируемых соседними ячейками, ограничиваемое в этом случае лишь частотными свойствами транзисторов.

П р е д -м е т и 3 о б р е т е и и я

Распределитель на транзисторах по авт. св. № 283292, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы схемы в наносекундном диапазоне, параллельно коллекторной нагрузке р-п-р транзистора f-той ячейки включен коллекторно-эмиттерный переход второго п-р-п транзистора так, что его коллектор соединен с коллектором первого транзистора, а база через резистор - с эмиттером второго транзистора и через конденсатор - с катодом диода цепочки нелинейной связи, включенной между г-той и i+1-вой ячейками.