УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ Советский патент 1974 года по МПК G11C7/00 G11C11/155 

Изобретение относится к вычислительной технике. Известное устройство считывания цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) выполнено в виде магниторезисторного элемента из тонкопленочного анизотропного магнитного материала. Технология их изготовления проста, срок службы практически не ограничен. Повышение плотности записи информации в ЦМД - устройствах усложняет регистранию ЦМД магниторезисторными датчиками. Для эффективной операции считывания поле ЦМД должно превосходить размагничивающее поле магниторезисторного элемента. В противном случае вектор намагниченности магнитной пленки поворачивается полем домена на угол, меньший 90, относительно своего первоначального положения, что приводит к ослаблению выходного сигнала. Величина размагничивающего поля тонкопленочного магниторезисторного элемента прямоугольной формы может быть определена из выражения: .. где MS - намагниченность насыщения материала пленки; b (ширина элемента) и / (длина элемента) - стороны пленки, параллельная и перпендикулярная намагничивающему полю ЦМД соответственно; т - толщина пленки. На практике длину магниторезистора берут равной диаметру 1ДМД, отношение длины к ширине - равное 4 или 5 и толщину пленки - 0,02-0,03 мкм. Для феррит-гранатовых материалов, в которых размеры ЦМД равняются единицам микрон, эффективная радиальная составляющая поля рассеяния домена имеет величину: Я-0,2.4тгЖ,(2) где Mg - намагниченность насыщения материала домена, т. е. величину примерно до 100 ГС. Учитывая это обстоятельство, можно видеть, что считывание ЦМД диаметрами, например, 8 мкм магниторезисторным элементом длиной / 8 мкм, шириной 2 мкм и толщиной т 0,02 мкм, выполненным на пермаллоя с ГС неэффективно, поскольку размагничивающее поле элемента, как следует из выражения (1), равно 200 э. Таким образом, известное устройство не может с успехом применяться для регистрации ЦМД малых размеров. Цель изобретения - расширение области эффективного применения и повышения уровня выходного сигнала магниторезистора. Из выражения (1) видно, что минимальное размагничивающее поле имеет магнитопленочный элемент с отношени-ем сторон 1:1. Таким образом, для снижения размагничивающего