Датчик для считывания цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1980 года по МПК G11C7/00 G11C11/14 G11C11/155 

Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для применения в устройствах хранения и обработки информации, в частности в запоминающих устройст зах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен датчик для считывания ЦМД, содержащий магнитоодноосную Ю пленку, на поверхности которой расположены магниторезистори. Толщина магниторезистора в этом датчике 0,,5 мкм 1.

Недостатком является малое изме- 5 нение сопротивления датчика от внешного поля рассеяния ЦМД, определяемое наличием больших иескомпенсированных размагничивающих полей в магнитном слое такой толщины.20

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является датчик для считывания ЦМД, который содержит магнитоодноосную плен-25 ку, магниторезисторы, расположенные на поверхности магнитоодноосной пленки друг над другом, и разделительные слои, расположенные между магниторезисторами {2.

Недостатком этого датчика является его относительная сложность и низкий уровень выходного сигнала..

Цель изобретения - повышение уровня выходного сигнала датчика для считывания ЦМД

Поставленная цель достигается тем, что в датчике разделительные слои выполнены из немагнитного металла.

На чертеже схематически изображен предложенный датчикдля считывания ЦМД.

Датчик для считывания ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на поверхности которой расположен диэлектрический слой 2, и магниторезистогял 3 и 4,-между которыми расположен разделительный слой 5 из немагнитного металла. Толщина магниторезисторов 0,15-0,2 мкм. Толщина разделительного слоя 5 должна быть достаточной для того, чтобы исключить обменное взаимодействие между магниторезисторами 3 и 4.

При условии исключения обменного взаимодействия, взаимное расположение векторов 6 намагниченности в отдельных участках магниторезисторов 3 и 4, определяемое магнитостатичесКИМ взаимодействием, будет встречг ное. В этбм случае нескрмпенсированно .поле, препятствующее повороту векто ра нг1магниченности в магниторезисто рах 3 и 4, уменьшится по сравнению со случаем однослойного датчика и для каждого магнитореэистора равно разности собственного размагничиваю щего поля слоя и внешнего поля рассеяния ( другого магниторезистора. Вследствие этого, под действием пол рассеяния ЦМД увеличится угол поворота вектора намагниченности магнит резисторов и величина изменения сопротивления датчика в целом, что в свою очередь приводит к увеличению уровня выходного сигнала при считыв нии информации. Формула изобретения Датчик для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, магниторезисторы, расположенные на поверхности магнитоодноосной пленки друг над другом, и разделительные слои, расположенные между магниторезисторами, отличающийся тем, что, с целью повьЕиения уровня выходного сигнала датчика, разделительные слои выполнены из немагнитного металла. Источники информации, принятые во внимание п1ж экспертизе 1.Патент США № 40191-77, кл. 340-174, 1977. 2.Авторское свидетельство СССР 485500, ;кл. G 11 С 7/00, 1972 (прототип) ,