Полупроводниковый ключ Советский патент 1974 года по МПК H03K17/60 

1

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в дискретных фазовых устройствах и в системах многоканальной связи для коммутации высокочастотных синусоидальных и импульсных сигналов в электрических цепях.

Известны полупроводниковые ключи, содержащие последовательно соединенные эмиттерные повторители, причем база транзистора первого эмиттерного повторителя подсоединена к шине питания через два последовательно соединенных резистора, и схему коммутации сигнала, состоящую из коммутирующего транзистора и сложного инвертора, выполненного на двух транзисторах, коллекторы которых через резисторы соединены с щиной питания, эмиттер первого транзистора через диод соединен с базой второго транзистора сложного инвертора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а между базой и эмиттером второго транзистора сложного инвертора включен резистор, при этом коллектор коммутирующего транзистора подсоединен к базе транзистора второго эмиттерного повторителя, эмиттер подсоединен к общей шине, а база - к коллекгору второго транзистора сложного инвертора.

Однако известные ключи характеризуются недостаточной температурной компенсацией.

Целью изобретения является улучшение температурной компенсации.

Для этого база первого транзистора сложного инвертора подключена к точке соединения двух резисторов, включенных между базой транзистора первого эмиттерного повторителя и шиной питания.

Изобретение пояснено чертежом.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема ключа.

Полупроводниковый ключ содержит схему прохождения сигнала, выполненную на транзисторах 1-3, включенных по схеме эмиттерных повторителей, и схему коммутации сигнала, состояшую из коммутирующего транзистора 4 и сложного инвертора, выполненного на транзисторах 5, 6 и диоде 7.

Режим работы транзисторов задается резисторами 8-17.

Полупроводниковый ключ работает следующим образом.

При подаче на сигнальный вход синусоидального или импульсного сигнала, а на вход управлепия - высокого уровня напряжения транзисторы 5 и 6 открыты, а транзистор 4 закрыт и входной сигнал проходит через транзисторы 1-3 на выход.

При подаче на вход управления низкого уровня напряжения транзисторы 5, 6 закрываются, а транзистор 4 открывается и шунтирует базовую цепь транзистора 2, что приводит к запиранию транзистора 2 и, соотвегственно, транзистора 3.

В этом случае входной сигнал не проходит на выход ключа.

Температурная компенсация выходного сигнала осуществляется за счет трех температурно-зависимых элементов р-л-переходов база-змиттер транзисторов 5, 6 и диода 7.

Предмет изобретения

Полупроводниковый ключ, содержащий последовательно соединенные эмиттерные повторители, причем база транзистора первого эмиттерного повторителя подсоединена к щине питания через два последовательно соединенных резистора, и схему коммутации сигнала, состоящую из коммутирующего транзистора и сложного инвертора, выполненного на

двух транзисторах, коллекторы которых через резисторы соединены с щиной питания, эмиттер первого транзистора через диод соединен с базой второго транзистора сложного инвертора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а между базой и эмиттером второго транзистора сложного инвертора включен резистор, при этом коллектор коммутирующего транзистора подсоединен к базе транзистора

второго эмиттерного повторителя, эмиттер подсоединен к общей шине, а база - к коллектору второго транзистора сложного инвертора, отличающийся тем, что, с целью улучшения температурной ком-пенсации, база первого

транзистора сложного инвертора через резистор подключена к точке соединения двух ре зисторов, включенных между базой транзистора первого эмиттерното повторителя и шиной питания.