Фотоэлемент вентильного типа Советский патент 1935 года по МПК H01L31/296 

Описание патента на изобретение SU44288A1

Твердые электронные выпрямители и фотоэлементы требуют в качестве необходимого условия для выпрямления и получения фотоэффекта наличия между металлом и полупроводником тонкого зазора порядка 10 см (см. I. Frenkel и. А joffe Phys. Zs. d. Sowietunicn, 1, 60, 1932) или же тонкого плохопроводящего слоя толщиной 10 - Ю см (см. ту же расоту или книгу Я. Ф.Иоффе. Электронные полупроводники).

Меняя свойства этого слоя (запирающий слой) и его толщину, можно в достаточно широких пределах менять свойства выпрямителей и фотоэлементов.

Теоретическая возможность создания выпрямителей и фотоэлементов вентильного типа из самых разнообразных веществ по схеме: металл-плохопроводя ший слой-электронный полупроводник известна.

Большой интерес при этом представляет задача получения запирающих слоев искусственным путем. Предлагаемое изобретение имеет целью разрешить указанную задачу изготовления , фотоэлемента вентильного

типа с запирающим слоем на границе „полупроводник-металл (совершенно необходимым для возникновения в системе, при освещении, фотоэлектродвижущей силы), полученным искусственным путем, что позволяет варьировать свойства фотоэлемента.

Произведенные исследования показали, что для возникновения фотоэлектродвижущей силы в фотоэлементе вентильного типа запирающий слой должен обладать большим внутренним фотоэффектом наряду с большим сопротивлением. В качестве одного из материалов, удовлетворяющих указанным выше условиям, является, например, сернистый таллий, применяемый для изготовления так называемых .таллофидных фотоэлементов (фотосопротивлений).

Согласно изобретению, в качестве запирающего слоя в фотоэлементе вентильного типа применяется сернистый таллий (Т12 S), искусственно наносимый одним из известных способов, например испарением в высоком вакууме, на электронный полупроводник. На этот слой таким же путем наносится

полупрозрачный металлический электрод. Толщина запирающего слоя лежит в пределах от 5.10 до 1ЛО см,

Предмет изобретения. Фотоэлемент вентильного типа с искусственно изготовленным запирающим

слоем, отличающийся тем, что запирающий слой толщиной от 5,10 до 1,10 см, состоит из сернистого таллия (TijS) на который одним из известных способов наносится полупрозрачный металлический электрод.

Похожие патенты SU44288A1

название год авторы номер документа
Фотоэлемент 1938
  • Коломнец Б.Т.
SU62557A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДОГО ЭЛЕКТРОННОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ 1934
  • Жузе В.П.
SU45996A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2012
  • Горелик Владимир Семенович
  • Горбацевич Александр Алексеевич
RU2503089C1
Фотоэлектрическое устройство 1940
  • Остроумов Б.А.
SU60974A1
Передающая трубка с фото активным запирающим слоем на полупроводнике 1939
  • Брауде Г.В.
SU64192A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ 1998
  • Давыдов А.А.
  • Морозов А.В.
  • Сапелкин В.С.
  • Лесников Ю.Ю.
RU2140122C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР 1991
  • Евсеев И.И.
  • Замотайлов Ю.Г.
  • Ивакин А.Н.
  • Петров Б.К.
  • Суровцев И.С.
  • Корчагин Ю.А.
  • Дудкин В.П.
  • Бугров В.П.
RU2030812C1
Устройство для приема длинных инфракрасных лучей и гиперкоротких электромагнитных колебаний 1940
  • Остроумов Б.А.
SU58322A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА 2008
  • Величко Андрей Александрович
  • Пергамент Александр Леонович
  • Мануилов Сергей Александрович
  • Путролайнен Вадим Вячеславович
RU2392694C2
ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2002
  • Щетинин В.В.
  • Черний А.Н.
RU2219843C1

Реферат патента 1935 года Фотоэлемент вентильного типа

Формула изобретения SU 44 288 A1

SU 44 288 A1

Авторы

Жузе В.П.

Даты

1935-09-30Публикация

1934-12-20Подача