Твердые электронные выпрямители и фотоэлементы требуют в качестве необходимого условия для выпрямления и получения фотоэффекта наличия между металлом и полупроводником тонкого зазора порядка 10 см (см. I. Frenkel и. А joffe Phys. Zs. d. Sowietunicn, 1, 60, 1932) или же тонкого плохопроводящего слоя толщиной 10 - Ю см (см. ту же расоту или книгу Я. Ф.Иоффе. Электронные полупроводники).
Меняя свойства этого слоя (запирающий слой) и его толщину, можно в достаточно широких пределах менять свойства выпрямителей и фотоэлементов.
Теоретическая возможность создания выпрямителей и фотоэлементов вентильного типа из самых разнообразных веществ по схеме: металл-плохопроводя ший слой-электронный полупроводник известна.
Большой интерес при этом представляет задача получения запирающих слоев искусственным путем. Предлагаемое изобретение имеет целью разрешить указанную задачу изготовления , фотоэлемента вентильного
типа с запирающим слоем на границе „полупроводник-металл (совершенно необходимым для возникновения в системе, при освещении, фотоэлектродвижущей силы), полученным искусственным путем, что позволяет варьировать свойства фотоэлемента.
Произведенные исследования показали, что для возникновения фотоэлектродвижущей силы в фотоэлементе вентильного типа запирающий слой должен обладать большим внутренним фотоэффектом наряду с большим сопротивлением. В качестве одного из материалов, удовлетворяющих указанным выше условиям, является, например, сернистый таллий, применяемый для изготовления так называемых .таллофидных фотоэлементов (фотосопротивлений).
Согласно изобретению, в качестве запирающего слоя в фотоэлементе вентильного типа применяется сернистый таллий (Т12 S), искусственно наносимый одним из известных способов, например испарением в высоком вакууме, на электронный полупроводник. На этот слой таким же путем наносится
полупрозрачный металлический электрод. Толщина запирающего слоя лежит в пределах от 5.10 до 1ЛО см,
Предмет изобретения. Фотоэлемент вентильного типа с искусственно изготовленным запирающим
слоем, отличающийся тем, что запирающий слой толщиной от 5,10 до 1,10 см, состоит из сернистого таллия (TijS) на который одним из известных способов наносится полупрозрачный металлический электрод.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Фотоэлемент | 1938 |
|
SU62557A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДОГО ЭЛЕКТРОННОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ | 1934 |
|
SU45996A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2012 |
|
RU2503089C1 |
Фотоэлектрическое устройство | 1940 |
|
SU60974A1 |
Передающая трубка с фото активным запирающим слоем на полупроводнике | 1939 |
|
SU64192A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ | 1998 |
|
RU2140122C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР | 1991 |
|
RU2030812C1 |
Устройство для приема длинных инфракрасных лучей и гиперкоротких электромагнитных колебаний | 1940 |
|
SU58322A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА | 2008 |
|
RU2392694C2 |
ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2002 |
|
RU2219843C1 |
Авторы
Даты
1935-09-30—Публикация
1934-12-20—Подача