Твердые электронные выпрямители и фотоэлементы требуют в качестве необходимого условия для выпрямления и получения фотоэффекта наличия между металлом и полупроводником тонкого зазора порядка 10 см (см. I. Frenkel и. А joffe Phys. Zs. d. Sowietunicn, 1, 60, 1932) или же тонкого плохопроводящего слоя толщиной 10 - Ю см (см. ту же расоту или книгу Я. Ф.Иоффе. Электронные полупроводники).
Меняя свойства этого слоя (запирающий слой) и его толщину, можно в достаточно широких пределах менять свойства выпрямителей и фотоэлементов.
Теоретическая возможность создания выпрямителей и фотоэлементов вентильного типа из самых разнообразных веществ по схеме: металл-плохопроводя ший слой-электронный полупроводник известна.
Большой интерес при этом представляет задача получения запирающих слоев искусственным путем. Предлагаемое изобретение имеет целью разрешить указанную задачу изготовления , фотоэлемента вентильного
типа с запирающим слоем на границе „полупроводник-металл (совершенно необходимым для возникновения в системе, при освещении, фотоэлектродвижущей силы), полученным искусственным путем, что позволяет варьировать свойства фотоэлемента.
Произведенные исследования показали, что для возникновения фотоэлектродвижущей силы в фотоэлементе вентильного типа запирающий слой должен обладать большим внутренним фотоэффектом наряду с большим сопротивлением. В качестве одного из материалов, удовлетворяющих указанным выше условиям, является, например, сернистый таллий, применяемый для изготовления так называемых .таллофидных фотоэлементов (фотосопротивлений).
Согласно изобретению, в качестве запирающего слоя в фотоэлементе вентильного типа применяется сернистый таллий (Т12 S), искусственно наносимый одним из известных способов, например испарением в высоком вакууме, на электронный полупроводник. На этот слой таким же путем наносится
полупрозрачный металлический электрод. Толщина запирающего слоя лежит в пределах от 5.10 до 1ЛО см,
Предмет изобретения. Фотоэлемент вентильного типа с искусственно изготовленным запирающим
слоем, отличающийся тем, что запирающий слой толщиной от 5,10 до 1,10 см, состоит из сернистого таллия (TijS) на который одним из известных способов наносится полупрозрачный металлический электрод.

| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Фотоэлемент | 1938 |
|
SU62557A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДОГО ЭЛЕКТРОННОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ | 1934 |
|
SU45996A1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2012 |
|
RU2503089C1 |
| Фотоэлектрическое устройство | 1940 |
|
SU60974A1 |
| Передающая трубка с фото активным запирающим слоем на полупроводнике | 1939 |
|
SU64192A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ | 1998 |
|
RU2140122C1 |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР | 1991 |
|
RU2030812C1 |
| Устройство для приема длинных инфракрасных лучей и гиперкоротких электромагнитных колебаний | 1940 |
|
SU58322A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА | 2008 |
|
RU2392694C2 |
| ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2002 |
|
RU2219843C1 |
Авторы
Даты
1935-09-30—Публикация
1934-12-20—Подача