До последнего времени былн извесигы два тина фотоэлементов, сохдагоншх самостоятельную разность поте:пи1алов, достаточную для ряда технических целей, без приложения внеш1;его напряжения, нанример от батареи. К этому тину фотоэлементов относятся меднсзакисные н селеновые фотоэлементы с запирающим слоем, чувствительность которых леж)1; в внднмой области спектра света. Интегральная чувствительность )г равна соответственно 100 и 500 микроампер на люмен. В указанных фотоэлементах электроны, вырванные светом, нерехсдят нз нолунроводника Р. металлический электрод, заряжая его отринате.тьно.
Согласно нзобретенню, предлагается фотоэлемент с заннраюп1;) слое.м между полупроводником г металлом, в 1чотором э.)оны ноч действием света покидают металлический электрод, благодаря чему ои заряжается положительно. Для получения такого эффекта материал пол}проводннка должен быть приведен в состояние электронной проводимости путе.м соответствуюпхей обработки, напрнмер путем введения избыточного против стехиометрического соотноп1енпя того или иного эле.мента.
Такой фотоэлемент с положительным фотоэффектом состоит им подкладки, служап1ей одним электродом, на которую любы.м снособом )анесен слой сернистого таллия, нереведенного в состояние электронно нроводи.мости, и полупрозрачного слоя металла, служащего вторым верхним электродом.
Снектральная чувствительность предлагаемого фотоэлемента с положительным фотоэффектом лежит в основном в П1фракрасной области спектра, интегральная же чувствительность составляет примерно 5000-6000 микроампер на люмен.
П рс лм е т изобретен и я
Фотоэлемент с запирающим слоем между полупрсводииком и мета.;|лом, о т л и ч а IO И1, и и с я тем, что в качестве полупроводника использован сернистый таллий, переведенный с целью получения положительного зпака фотоэффекта в состояние электрО1тной проводимости еоответствзпоп1ей обработки, например путем введения избыточного против етеч;;ометрического соотнопшння того или liHoro элемента.
