Способ получения р-п=перехода в германии р=типа Советский патент 1975 года по МПК H01L7/54 

I

Изобретение относится к ионно-лучевой технологии получения полупроводниковых приборов на основе германия р-типа.

Известно, что проявление химической природы донорной примеси, введенной в германий р-тнпа методом ионного внедрения, происходит после отжига при 400-600°С. Это объясняется тем, что ионное внедрение сопровождается образованием радиационных нарушений акцепторной природы при концентрациях, существенно превышающих концентрацию легирующей примеси. Для технологических целей высокотемпературная термообработка легированных образцов является нежелательной.

Известный способ получения р-п-перехода в германии п- и р-типов методом ионно-лучевой технологии состоит в ионном внедрении донорной (акцепторной) примеси с последующей термообработкой при 400-600°С или в ионном внедрении донорной (акцепторной) примеси при повышенной температуре 400- 500°С.

Цель изобретения - увеличение времени жизни неосновных носителей заряда.

Цель достигается путем бомбардировки германия р-типа ускоренными ионами донорной примеси при опредёленных плотностях тока ионного пучка. Слои с проводимостью п-типа получаются при внедрении ионов фосфора и лития с энергией. 40..кэв при .плотности тока

4 мка/см и выше и дозах облучения 5- и выше.

Кристалл германия, легированный галлием (удельное сопротивление 0,3-0,5 ом-см), с

химически полированной и очищенной поверхностью подвергался бомбардировке ионами донорных примесей, например, ионами фосфора с энергией 40 кэв, при комнатной температуре при дозах и выше, в

вакууме не ниже IQ- мм рт. ст. В результате бомбардировки в указанных условиях в тонком приповерхностном слое германия происходит инверсия проводимости, что приводит к образованию р-п-перехода.

Изобретение может быть использовано для получения уо-я-переходов в германии р-типа без термообработки, которая во многих случаях оказывается нежелательной, поскольку она приводит как правило к ухудшению иараметров полупроводниковой основы (например, при производстве детекторов - 7 излучения из чистого германия).

Предмет изобретения

Способ получения -«-перехода в германии р-типа с помощью бомбардировки полупроводниковой подложки ионами донорных примесей, например фосфора, с энергией 20- 100 кэв, отличающийся тем, что, с целью 3 увеличения времени жизни неосновных носителей заряда, бомбардировку примеси осуществляют при комнатной температуре пучком 4 ионов, плотность тока которого не ниже 4 мка/см- при дозе облучения 10см-.