Интегральная схема Советский патент 1975 года по МПК H01L19/00 

(54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА

1

Настоящее изобретение относится к области микроэлектроники, а именно, к области полупроводниковых интегральных схем.

Известны полупроводниковые интегральные схемы, имеющие подложку /7-типа проводимости с высоким удельным сопротивлением, на которой выращен эпитаксиальный слой /г-типа проводимости, содержащий диффуционные области, образующие активные и пассивные компоненты схемы. Компоненты интегральной схемы объединяются в функциональную схему посредством металлических проводников, расположенных на поверхности эпитаксиального слоя над маскирующим окислом.

Соединение различных точек цепи производится при помощи металлических проводящих дорожек, что приводит к наличию различных потенциалов ,в точках, так как размеры проводящих дорожек малы и на них наблюдается значительное падение напряжения. Кроме того, наличие проводящих дорожек приводит к ограничению частотного диапазона работы устройств.

С целью повышения надежности соединения областей, подлежащих подсоединению к точке общего потенциала, используются полупроводники одного типа проводимости, например, р и р+.

На чертеже приведена схема участка . Монолитная полупроводниковая цепь содержит металлический слой 1, на котором установлена пластина, выполненная из монокристалла кремния. Пластинка 2 содержит нижний слой 3 из материала /7-типа с низким сопротивлением. Этот слой обозначен р+ и имеет толщину 0,2 мм при удельном сопротивлении 0,1 ом/см. Промежуточный слой 4 из материала р-типа обладает высоким удельным сопротивлением от 2 до 50 ом/см, его толщипа 0,015 мм. Верхний слой выполнен из материала д-типа, имеющего удельное сопротивление от 0,1 до 5 ом/см и толщину 0,01 мм. Элементы цепи расположены в слое 5. Одним из элементов является транзистор 6, который содержит базу р-типа, область эмиттера 8 л-типа и область коллектора 9. Под областью коллектора 9 находится -полость 10 из материала п+типа, которая может быть получена диффундированием в слой п соответствующих примесей. Наличие полости 10 компенсирует действие паразитного /э/г/7-типа транзистора, образуемого из части области 7 р-типа, слоя

коллектора 5 п-типа и слоя 3 р+-типа. Резистор 11 образуется областью 1, имеющей регулируемые размеры и переменное содержание примесей. Полость 13 я+-типа может входить в состав слоя 4 ниже резистора 11 и способствует устранению паразитных связей. Области 14 и 15 / +-типа окружают составные элементы цепи, например транзистор 6, и служат для их электрической экранирОБКи. Поверхность слоя 5 покрыта защитным слоем 16, за исключением входного контакта, который подходит к эмиттеру 8 транзистора 6. Поверх защитного слоя 16 расположена металлическая полоса 17, соединяющая эмиттер 18 с изолирующей областью 14. Соединение 19 металла с областью 20 производится через отверстие в слое 16. Область изоляции 14, являющаяся составным элементом токопроводящей цепи между эмиттером 8 и слоем 3, проходит через слои 5 и 4. Транзистор имеет контакт базы 21 и контакт коллектора 22. Металлическая полоса 23, проходящая поверх слоя 16, соединяет контакт 24, к которому подключен резистор 11 с областью 15. Область 15, проходя через слои 4 и 5, соединяется со слоем 3. Второй контакт резистора 11 обозначен 25. Нижний слой 3 служит общей

1Б 9 77 7 8,з6 21 22 9 т 15 / / /// -

шиной, к которой может быть подключено желаемое количество элементов с общей потенциальной точкой.

Предмет изобретения

Интегральная схема, содержащая высокоомную подложку лервого типа проводимости с расположенными на одной стороне первым слоем противоположного типа проводимости,

содержащим элементы схемы с электродами и диффузионные изолирующие области, и вторым низкоомным слоем первого типа проводимости на другой стороне и диффузионные изолирующие области первого типа проводимости, ироходящие от поверхности первого слоя до второго низкоомного слоя, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности соединения областей, подлежащих подсоединению к точке общего потенциала,

участки изолирующих диффузионных областей, выходящие на поверхность, имеют контакты, соединенные проводниками с электродами элементов схемы.

23 2Ц- // J2 25 B 75