Способ измерения толщины эпитаксиальных пленок Советский патент 1975 года по МПК G01B19/36 

иову предлагаемого неразрушающего метода измерения толщины элитаксиальной пленк;) на подложке с противоположным типом проводимости.

Изобретение поясияется чертежом.

Изме1ряемый объект 1 помещают под локально давящий зонд 2, к которому прикладывают периодически изменяющееся усилие. Одновременно от нсточннка света 3 с помощью оптическнх элементов 4 направляют модулированный световой поток на участок пленки, который подвергается воздействию давящего зонда. Величина фото-э.д.с. измеряется селективным вольтметром 5 с высоким входным солротивлением ом) по показаниям стрелочного прибора 6. Резоиаисная частота селектнвного вольтметра выбирается

par,:ioii частоте прерывания спета модулято;рол 7. Контактом к пленке для нзмерепня фото-э.д.с. служит металлический щуп 8, расположенный вблнзп от давящего зонда н

светового пятна 9, другой контакт осуществляется через СТОЛ.1Ж, на котором находится измеряемый объект.

Предмет и з о б р е т е и н я Способ измерения толщины эпитаксиальных

пленок на подложке противоположного типа проводимости путе.м облучения плеики световым потоком, отличающийся тем, что, с целью повьнления пронзводнтельностн, в точке нзмереипя прикладывают периодически изменяющееся уснлие и регистрируют образующуюся между пленкой и подложкой фото-э.д.с., покоторой определяют толщину пленки.