Способ измерения толщины эпитаксиальных и диффузионных слоев кремния Советский патент 1977 года по МПК G02F1/00 

зонда освещается модулированным светом, прошедшим через фильтр 3. Фото-ЭДС замеряется селективным вольтметром 4 и регистрируется стрелочным прибором 5. Резонансная частота селективного вольтметра выбирается равной частоте прерывания света, образованной врашаюш,имся диском 6 с отверстиями, который помеш,ен на оси электродвигателя 7. Величина отклонения стрелочного прибора может быть проградуирована в единицах толшнны. Давящий зонд служит одновременно одним из контактов: другой контакт осуществляется через столик, на который кладется образец.

изобретения

Способ измерения толщины эпитаксиальных и диффузионных слоев кремния путем измеренйя фото-ЭДС, возникшей в результате 1зОз« действия света на пластину, помещенную между металлическим основанием и металлическим зондом, касающимся освещенной стороны пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, освещают пластину светом с длиной волны, большей красной границы, а металлическим зондом осуществляют давление на пластину в пределах упругих деформаций.

Источники информации, цринятые во внимание при экспертизе:

1.«Тонкие пленки, их изготовление и применение. Пер. с нем. под ред. Н. С. Хлебникова. Госэнергоиздат, 1963.

2.Кофтанюк Н. Ф. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов. Издво «Металлургия, М., 1970, гл. V.