Датчик температуры Советский патент 1975 года по МПК G01K7/22 

(54) ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ

1

Изобретение относится к области тепловых измерений.

Известны датчики температур, содержащие термочувствительный элемент в виде диодной структуры из арсенида галлия и выводы.

Недостатком таких датчиков является низкая чувствительность 3 мв/град и отсутствие линейности выходной характеристики в широком температурном диапазоне.

С целью устранения указанных недостатков в предлагаемом датчике термочувствительный элемент выполнен в виде р+ - р - п+ структуры, содержащей в базе высокоомный перекомпенсированный слой и обладающий S-образной вольтамперной характеристикой при прямом смещении.

На фнг. 1 изображен термочувствительный элемент предложенного датчика; на фиг. 2- семейство вольтамперных характеристик датчика при прямом смещении и различных температурах.

Термочувствительный элемент 1 представляет собой пластинчатый кристалл GaAs, содержащий низкоомный диффузионный слой р-типа 2, высокоомный перекомпенсированный слой р-типа 3, низкоомный слой п-типа 4 и омические контакты 5.

Датчик включается в измерительную цепь, состоящую из последовательно включенных сопротивления нагрузки и источника стабилизированного напряжения. Чувствительность датчика при выборе рабочей точки на отрицательном участке ВАХ непосредственно после срыва достигает 1,4 в/град при сопротивлении нагрузки 4 мом и напряжении питания 400 в.

Н р е д м е т изобретения

Датчик температуры, содержащий термочувствительный элемент, собранный на диоде из арсенида галлия и снабженный контактами, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью улучшения линейности выходных характеристик в широком диапазоне измеряемых темиератур, в нем использован пластинчатый кристалл из арсенида галлия с р+ - р - п+ переходом.

2UU V // %4 7VS77 A

S .

;-i 00 700 250 OOdSO yf

-300°к - 27JA

Sui-2