Нейрокон Советский патент 1975 года по МПК H04N5/30 

Изобретение относится к телевидению, может использоваться в безвакуу ных фотоэлектрических преобразователя.х.

Известен нейрокои, содержащий нейристорную линию, состоящую из иолуироводниковых элементов с отрицательным днфференциальным сопротивлением, дополнительные ключевые структуры, сформированные в том же кристалле, контуры формирования потенциального рельефа изобретения, образованные собственной емкостью фотоироводяид,его слоя и выполненные непосредственно на электроде дополнительных ключевых структур. Одна.ко непостоянство расстояния между фронтом развертывающего нейристориого импульса и точкой считывания потеициальиого рельефа изображения вызывает градационные и геометрические искажения передаваемых изображений.

Цель изобретения - устранение геометрических и градационных искажений иеред;)ваемых изображений - достигается тем, что в (предлагаемом Нейрокоие в слой диэлектрика, изолирующего торцы полупроводниковых элементов нейристорной линии, введен слой металлизации, коитактирующий с базовой областью дополнительных ключевых структур, в качестве которых используются транзисторы, и образующий со слоем металлизации коллектора активного элемента ней2

ристорной линии конденсато :, связываюни донолнительные ключевые структур-я с коллекторами активных элементов иейристорной линии.

На чертеже изображеи разрез нейрокоиа.

Иейристорная линия состоит из связанных по возбуждению полупроводнико131)1х элементов с отрицательиым дифференциальиым сопротивленнем, наиример тиристоров, слои 1-4. Нагрузкой каждого элемента является коитур иротягивания нейрнсторпого имнульса, состоящий из собствеиных сопротивлення и емкости участка фотопроводящего слоя 5, заключенного между слоем металлизации 6 и полупрозрачным электродом 7. В качестве дополнительной ключевой стр ктуры иснользован транзистор, слои 8-10, на коллекторном электроде 11 которого выполнен контур формироща.ния потонциалыи)го рельефа изображения, состоящий из собствениого сонротцвления и емкости участкл фотонроводя1цего слоя 5, заключенного ме 1чду электродом 11 и полупрозрачным элект н)дом 7. В слой диэлектрика 12, пзолируюнип торцы активных элементов нейрисгорпо линии, введен слой металлизации 13, контактирующий со слоем 9 и образующий конденсатор, состоящий из слоев 6, 12, 13, который включен между коллектором активного элемента нейристорной линии и базой дополни