(54) НЕИРОКОН
ka питания осуществляется базовым током дополнительной транзисторной структуры (слои 3, II, 12) и происходит в момент прохода очередного нейристорНого импульса.
Предмет изобретения
Нейрокон, содержащий нейристорную линию, на которую нанесены слой диэлектрика и полупрозрачный электрод, а в качестве накопительной емкости каждого элемента не пользован обратно смещенный р-«-переход, зашунтированный встречно включенными диодами, отличающийся тем, что, с целью увеличения разрешающей способности, между полупрозрачным .электродом и слоем диэлектрика дополнительно введены фотопроводящий слой и слой металлизации, контактирующий с общей базой встречно включенных диодов.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Нейрокон | 1973 |
|
SU476707A1 |
| ПЛОСКИЙ ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ЭКРАН (НЕЙРОСКОП) | 1971 |
|
SU310419A1 |
| БЕЗВАКУУМНЫЙ АНАЛОГ ПЕРЕДАЮЩЕЙ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ ТРУБКИ | 1970 |
|
SU258374A1 |
| Устройство для моделирования нервного пучка | 1987 |
|
SU1439632A1 |
| НЕЙРИСТОР | 1978 |
|
SU747389A1 |
| ОРГАНИЧИТЕЛЬ МОЩНОСТИ СВЧ | 2014 |
|
RU2558649C1 |
| СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАВИННЫМ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК (МДП)-ФОТОПРИЁМНИКОМ | 2000 |
|
RU2205473C2 |
| Полупроводниковый ограничительный прибор | 1991 |
|
SU1827699A1 |
| Линия задержки | 1981 |
|
SU1046911A1 |
| Матричный накопитель для фотоэлектрического запоминающего устройства | 1975 |
|
SU734805A1 |
23 711 12
к.
АЛ jixy
b/}(.
3610
ft
.-J
х/г /
