Способ измерения температуры полупроводниковой структуры Советский патент 1975 года по МПК G01K7/01 

1

Изобретение относится к области электронной техники, автоматики и теплотехники. Оно может найти применение в различных электронных схемах, где требуется прецизионное измерение температуры или ее малых отклонений.

Известно использование полупроводниковых термисторов с отрицательным температурным коэффициентом для измерения температуры. Измерение температуры производится обычно на постоянном токе и точность измерения температуры в лучшем случае не превышает в интервале температур от 50 до +100°С.

В ряде технических задач требуется измерять температуру по переменному сигналу и с гораздо большой точностью. Предлагаемый способ позволяет измерять температуру с высокой точностью в различных температурных интервалах по характеристикам переменного сигнала (величина, частота).

Сущность изобретения заключается в использовании температурной зависимости частоты и величины синусоидальных колебаний в кремнии п - типа, у которого Nzn/L pn Zn легированном цинком, при помещении его в

электрическое поле. Исследование кремния, легированного цинком и фосфором, показало, что колебания тока наблюдаются не во всех кристаллах, а в тех из них, в которых реализуются условия:

1) nip

2)

3)р 5- 10 ом-см,

здесь р, п - концентрации дырок и электронов в полупроводнике, т„ , ip -время жизни электронов и дырок, L - длина дрейфа неосновных носителей, 1д„ф - диффузионная длина.

Предмет изо б р с т с п л я

15

Способ измерения температуры полупроводниковой структуры, заключающейся в определении температуры внешней среды с помощью пластины, компенсированной донорными и акцепторными примесями, питаемой постоянным напряжением, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, прикладывает электрическое поле такой величины, что дрейфовая длина неосновных носителей становится больше диффузионной.