САЭ Ot 4 СО
11
Изобретение относится к электронной технике и автоматике, а именно к усовершенствованию методов регистрации температур с помощью полупроводниковых структур.
Цель изобретения - расширение температурного диапазона путем смещения границы измеряемых температур в сторону низких температур.
Рекомбинационные волны в кремнии п-типа проводимости, легированном цинком, существуют в ограниченном температурном диапазоне от (-30) до (+60 )С, что определяет рабочий диапазон температур термодатчика с частотным выходом. Нижняя граница () обусловлена тем, что при понижении температуры величина порогового поля сильно возрастает, стре- мясь в пределе к бесконечности. При Т(-30) С величина порогового поля превышает приложенное к образцу поле что приводит к затуханию колебаний. Пороговое поле возбуждения (En) рав- но
р К (1)
где К - коэффициент пропорциональ- ности;
(У- Р .
П Гр
p,n,L,L- концентрации и времена
п
жизни соответственно неос- HOBHiiix и основных носителей
При понижении температуры величина о( падает и стремится к единице, поэтому ЕП стремится к бесконечности
Падение с с температурой обусловл но падением отношения Р/п с уменьшением температуры вследствие более сильной экспоненциальной зависимости от температуры концентрации неосновных носителей Р. При освещении светом определенного спектрального состава и интенсивности при можно увеличить концентрацию неосновных носителей до величины, при которой оС будет превышать единицу и Р I . Это приводит к существованию реком- бинационных волн при температурах, меньших чем Т -30 С.
Способ реализуется следующим образом.
5
Q
5
5
0
22
В качестве пластины, в которой возбуждались рекомбинационные волны, использовался кремний п-типа проводимости, легированный цинком и фосфором. Пластину кремния освещали светом, энергия квантов которого находилась в интервале 0,95 ,6 эВ, затем снимали температурную зависимость величины интенсивности света, обеспечивающей возбуждение рекомби- национных волн при данной температуре. Затем определяли максимальную величину интенсивности света в измеряемом диапазоне температур. Максимальная величина интенсивности определялась для следующих трех энергий квантов: 1та)0,65 эВ, (0,8 эВ, 1i(J 0,9 эВ. Ее величины для этих интервалов соответственно равны , 4 10 и 1-10 Вт/см2.
i
Нижняя граница энергий квантов равна 0,6 эВ и определяется границей спектральной чувствительности кремния п-типа проводимости. Верхняя граница 0,95 эВ определена экспериментально. При ,95 эВ происходит не возбуждение, а гашение колебаний.
Формула из-обретения
Способ определения температуры путем приложения электрического поля к термодатчику в виде пластины компенсированного полупроводника с электродами, измерения частоты автоколебаний тока и определения температуры по измеренным величинам частот автоколебаний, отличающий-, с я тем, что, с целью расширения температурного диапазона путем смещения границы измеряемых температур в сторону низких температур, используют пластину из кремния п-типа проводимости, легированную цинком с f,5-(f Ом.см, одновременно с приложением к термодатчику электрического поля пластину освещают светом, энергия квантов которого находится в диапазоне 0,95 ,6 эВ на расстоянии не менее одной диффузионной длины неосновных носителей от отрицательного электрода термодатчика.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКОЙ НА ФРОНТАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ | 2013 |
|
RU2529826C2 |
ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ПРИБОР | 1992 |
|
RU2038654C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ДЕТЕКТОРА ЧАСТИЦ | 1973 |
|
SU436306A1 |
Устройство фотовольтаики | 2019 |
|
RU2728247C1 |
КВАНТОВО-РАДИОИЗОТОПНЫЙ ГЕНЕРАТОР ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И ФОТОНОВ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКЕ ПОЛУПРОВОДНИКА | 2015 |
|
RU2654829C2 |
ГИБРИДНЫЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 2014 |
|
RU2586263C1 |
Излучающее в инфракрасном диапазоне спектра электролюминесцентное устройство в интегральном исполнении с кремниевой подложкой | 2022 |
|
RU2795611C1 |
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СВЕТОВОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ НА ОСНОВЕ P-N-ПЕРЕХОДА С ПОВЕРХНОСТНЫМ ИЗОТИПНЫМ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОМ | 1996 |
|
RU2099818C1 |
ИНЖЕКТИРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИНЖЕКТИРУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ | 1992 |
|
RU2115270C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД ДЛЯ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА | 2002 |
|
RU2286618C2 |
Изобретение относится к методам регистрации т-р с помощью полупроводниковых структур. Цель изобретения - расширение температурного диапазона путем смещения граншда в сторону низких . К термодатчику, выполненному в виде пластины из кремния п-типа проводимости, легированной цинком с ,510 Ом-см, прикладывают электрическое поле. Одновременно пластину освещают светом с энергией квантов, выбранной в диапазоне 0,95 (,6 эВ, на расстоянии не менее одной диффузионной длины неосновных носителей от отрицательного электрода термодатчика. По температурной зависимости величины интенсивности света, приводящей к возбуждению в пластине рекомбинаци- онных волн, определяют макс, величину этой интенсивности для нескольких энергий квантов. с
ВШОтИ Заказ 6586/34
Произв-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Тираж 607
Подписное
Патент США № 3735321, кл | |||
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Способ измерения температуры полупроводниковой структуры | 1972 |
|
SU480925A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1988-01-07—Публикация
1985-09-06—Подача