Диодно-конденсаторная ячейка памяти Советский патент 1975 года по МПК G11C27/00 

Описание патента на изобретение SU483714A1

1

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и может использоваться при создании систем обработки информации.

Известны различные схемы диодно-конденсаторных запоминаюш.их устройств (ДКЗУ).

Одним из недостатков указанных устройств является ограниченное время хранения, которое определяется утечками применяемых элементов, причем определяющими являются утечки диодов, подсоединяемых к конденсатору.

Увеличение времени хранения в известных устройствах осу1цествляется за счет стабилизации входного базового тока и соответстнующего ему выходного сигнала интегратора при применении стабилизирующего усилительного каскада. Использовать этот способ для увеличения времени хранения сигнала в диодио-конденсаторном запоминающем устройстве не представляется возможным, так как в ДКЗУ основное влияние па хранепне оказывают утечки полупроводниковых диодов цепи записи и стирания, а в указапном интеграторе - входной ток усилнтеля интегратора.

Цель изобретения - - увеличив, время хранения аналогового сигнала при песложном схемном решении,

Указанная цель достигается тем, что к истоку полевого транзистора подсоединен корректирующий элемент, выход которого соединен с ключом стирания и катодом диода стираппя и анодом диода обратной связи, катод которого соединен с катодом дополнительпого дпода записи, апод которого соедипеп со входом ячейки и через резпстор - с П1ИПОЙ нулевого потенциала.

Иа чертеже 1 представлепа схема предложенной диодно-копденсаторной ячейки памяти, где 1, 2 - диоды цепи записи, 3 - диод обратной связи, 4 - диод стирания, 5 - резистор обратной связи, 6 - запомипаю1Ц11Й конденсатор, 7 --- нелепой транзистор, 8 -- нагрузочный резистор полевого транзистора, 9 - диодно-конденсаторный элеMcirr памяти, 10 - - корректнруюн1,ий элемент,

1 1 - ключ СТИрП1П1Я, H,,,v, Ип, Ив1 Ист -

соответстпенно входной, выходной, дополнительный выходной и сигнал стирания. Ил - потенциал точки а, И,- - напряжение запомни а клцего конденсатора.

Запис сигнала на конденсатор 6 и нри И,, осуществляется через диоды 1, 2, Запоминаемый на конденсаторе 6 уровень пе1)едается на выход диодно-конденсаторной ячейки через нолевой транзистор 7 и корректирующий элемент 10.

При соответстйующем выборе параметров коректирующей цепи выходное напряжение схемы с некоторым приближением равно уровню, запоминаемому на конденсаторе памяти 6. В результате обратное напряжение, прикладываемое к диоду 4, и его ток утечки в значительной степени снижаются и в идеальном случае равны 0.

Ток утечки через диод 2 снижается при включении диода 3 между выходом схемы и анодом диода 2. Реально необходимо выдержать некоторые условия, обеспечивающие стабильность режима хранения аналогового

сигнала:

-Uc d

f/p f/a с,

Uc

где d, с - сколь угодно малые, по положительные (а, ) значения во всем диапазоне изменения входного сигнала ИвхОграничения, накладываемые на величины айв, определяются конкретными условиями применения диодно-копденсаторной ячейки памяти (например, дрейфом элементов).

Корректирующий элемент 10 применяется для исправлення передачи характеристики полевого транзистора 7 и в общем случае является нелинейным функциональным преобразователем. В простейщем случае это может быть схема диодного ограничителя, состоящего из одного диода, трех сопротивлений и дифференциального усилителя постоянного тока (при двух отрезках линейной аппроксимации). Для более точной коррекции можно увеличить число отрезков аппроксимации, однако реально, их число не должно превыщать 3-4 вследствие слабой нелинейности передаточной характеристики полевого транзистора, которую корректирует элемент 10.

Таким образом, в простейщем случае схема корректирующего элемента несложна. При значительном разбросе передаточных характеристик полевых транзисторов для получения хорошего эффекта от применения корректирующего элемента необходимо применять подстроечные сопротивления для выбора требуемого режима работы дифференциального усилителя постоянного тока.

С учетом изложенного время хранения аналогового сигнала может быть увеличено по сравнению с известными схемами, не использующими корректирующих обратных связей на три и более порядков.

Предмет изобретения

0 Диодно-конденсаторная ячейка памяти, содержащая диодно-конденсаторный элемент, состоящий из диода записи, катод которого соединен с анодом диода стирания, одной из обкладок запоминающего конденсатора и с

5 затвором полевого транзистора, сток которого соединен с шиной питания, исток - через резистор - с щиной пулевого потенциала, отличающееся тем, что, с целью увеличения времени и точности хранения, к истоку полевого транзистора подсоединен корректирующий элемент, выход которого соединен с ключом стирания, катодом диода стирания и анодом диода обратной связи, катод которого соединен с катодом дополнительного диода записи, анод которого соединен со входом ячейки и через резистор с шиной нулевого потенциала.

Похожие патенты SU483714A1

название год авторы номер документа
Аналоговый диодно-конденсаторный запоминающий элемент 1972
  • Дрожжин Владимир Михайлович
SU478364A1
ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ ДЛЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО ЭСППЗУ С УПРАВЛЯЕМЫМ ПОТЕНЦИАЛОМ ПОДЗАТВОРНОЙ ОБЛАСТИ 2011
  • Мурашев Виктор Николаевич
  • Леготин Сергей Александрович
  • Шелепин Николай Алексеевич
  • Орлов Олег Михайлович
RU2465659C1
Оптоэлектронный элемент памяти 1980
  • Голик Леонард Леонидович
  • Елинсон Мордух Ильич
  • Орликовский Александр Александрович
  • Пашинцев Юрий Иванович
  • Перов Полиевкт Иванович
  • Топешкин Александр Михайлович
  • Шмелев Сергей Сергеевич
SU963098A1
ПОНИЖАЮЩИЙ КОНДЕНСАТОРНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ 2018
  • Егоров Леонид Борисович
  • Кирсанов Константин Сергеевич
RU2690839C1
ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ ДЛЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО ЭСППЗУ И СПОСОБ ЕЕ ПРОГРАММИРОВАНИЯ 2009
  • Мурашев Виктор Николаевич
  • Шелепин Николай Алексеевич
RU2481653C2
ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ 2014
  • Гай Алла Сергеевна
  • Ежов Василий Александрович
  • Немкевич Виктор Андреевич
  • Прохоров Денис Юрьевич
  • Тымчук Александр Юрьевич
RU2563041C1
ДИНАМИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ 1997
  • Мурашев В.Н.
RU2147772C1
Ячейка памяти статического оперативного запоминающего устройства с радиоактивным источником питания 2021
  • Иванов Дмитрий Николаевич
  • Леонов Алексей Владимирович
  • Мурашев Виктор Николаевич
  • Диденко Сергей Иванович
  • Орлова Марина Николаевна
  • Савчук Александр Александрович
  • Орлов Олег Михайлович
  • Масловский Максим Владимирович
RU2777553C1
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ 1972
  • Иностранец Атсуси Овада
  • Иностранна Фирма
  • Токио Сибаура Электрик Компани Лимитед Япони
SU328608A1
АНАЛОГОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 1970
SU258384A1

Иллюстрации к изобретению SU 483 714 A1

Реферат патента 1975 года Диодно-конденсаторная ячейка памяти

Формула изобретения SU 483 714 A1

SU 483 714 A1

Авторы

Дрожжин Владимир Михайлович

Даты

1975-09-05Публикация

1972-05-05Подача