Ячейка памяти Советский патент 1975 года по МПК G11C11/36 

Изобретеиие относится к области вычислительной техники. Известна ячейка памяти, содержащая диод Ганна, анод которого подключен к шине питания, первый катод - к шине записи и через резистор к шине нулевого потенциала, а. второй катод - к шине «Стирание и через резистор к шине нулевого потенциала, причем второй катод отделен от первого ш,елью в полупроводнике, не доходящей до анода. В такой ячейке памяти отсутствует развязка между ее выходом и входом «Стирание. Цель изобретения - улучшение эксплуатационных характеристик. Это достигается тем, что в ячейку введен второй диод Ганна, анод которого подключен к шине питания, первый катод - к второму катоду первого диода Ганна, второй катод второго диода Ганна - к шине «Считывание и через резистор к шине нулевого потенциала, а третий катод - к выходу ячейки и через резистор к шипе нулевого потенциала. На чертеже показан один из вариантов Ячейки памяти. Ячейка памяти состоит из двух активных элементов с использованием эффекта Ганна, вынолненных из арсенида галлия д типа,- диодов 1 и 2, нагруженных на общий резистор , включенный в деиь катода 4 второго диода. цепях катодов 5 и 6 второго диода Ганна меются резисторы 7 и 8, а в цепи катода 9 первого диода Ганна - резистор 10. В диодах катоды отделены между собой щелями (не доходящими до анода) 11, 12, 13, делящими активные элементы на области 4 - 18. Ячейка работает следующим образом. В исходиом состоянии в областях 14 и 15 диода 1 Ганна и в областях 16 и 18 диода 2 Ганна напряженность электрического поля близка к нороговому значению и выше минимального поля поддержания домена, а в области 17 напряженность электрического поля ниже этой величины. Запись «1 проводят подачей импульса отрицательной полярности па катод 9 диода 1. В результате, в области 14 образуется домен, дрейфующий к аноду. Достигнув конца щели 11. домен распространяется на все сечение диода 1 Ганна (области 14, 15), вызывая уменьшение тока в резисторе 3 и, как следствие, увеличение напряжения в области 16 диода 2. Это приводит к образоваш1Ю домена в области 16 у катода 4. После того, как в диоде 1 домен разрядится у анода, он вновь образуется в этом диоде, так как наличие домена в области 16 диода 2

зызызает понижение потеициала на катодном резисторе ы увеличение напряжения в облаc;i-j 15. Поскольку домены в диоде I Гаина н в области 16 диода 2 понеремснцо отстают друг от друга, происходит иеи1)ерывное переключеане элементов. До прихода имиульса отритгательной полярности (сигнала «Считывание) на катод 5 домен из области 16 не может проиИКиуть в область 17 вследствие низкого значения напряженности электрического ноля в области 17 (инже минимального ноля ноддержаиия домеиа). С ириходом сигнала «Считывание на электрод 5 домен нз об.:астн 16 проникает в области 17 и 18. С резистора 8 сигнал снимается в нагрузку. Для С1ира-ния «1 достаточно подать сигнал ноложительной полярности на электрод 4, электг;;1чески развязанный с выходными ценямн.

Пред м е т н з о б р е т е н и я

Ячейка памяти, содержагцая первый диод Ганиа, которого подключен к шине питания, первый катод - к шине записи и через резистор к шине нулевого потенциала, второй катод подключен к шине «Стирание и через резистор к шине нулевого потенцнала, о тл и ч а ю нг а я с я тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик, она содержит второй диод Ганна, а под которого подключен к шине питания, первый катод - к второму катоду первого диода Ганна, второй катод второго диода Гапна подключен к шине «Считывание и через резистор к шине нулевого потенциала, третий катод нодключен к выходу ячейки и через резистор к шиие нулевого потенцнала.

I /Ч 5

г,::;::-7П.г

10