Усилитель мощности Советский патент 1975 года по МПК H03F3/20 

Изобретение относится к радиотехнике, может быть использовано для усиления сигналов звуковой частоты в радиоаппаратуре различного назначения.

Из-вестен усилитель мощности, содержащий входной транзистор, эмиттер которого подключен к эмиттеру первого )Выходного транзистора непосредственно, а « его базе - через встречно включенные стабилитроны, точка соединения которых подключена к коллектору второго выходного транзистора.

Цель изобретения - уменьшение .искажений iB области больЩ|ИХ сигналов.

С этой целью в нредлагаемый усилитель введен дополнительный транзистор, переход эмнттер - коллектор которого подключен параллельно коллекторному резистору входного транзистора, а база через дополнительно введенный резистор делителя напряжения подключена к точке соединения эмиттеров входного и первого выходного транзисторов.

На чертеже приведена схема устройства.

Усилитель построен на четырех транзисторах: входном /, еключенно.м по схеме с общим эмиттером, двух входных 2 и 5, включенных по схеме с общим эмиттером и общим коллектором соответственно н дополнительном транзисторе 4, включенном по схеме с общим эмиттером.

База транзистора / подключена ко входу усилителя, а его эмиттер - к выходу усилителя. Коллектор транзистора / подключен непосредственно к базе транзистора 2 и коллектору дополнительного транзистора 4, а через резистор 5 - к выводу источника питания б . К тому же полюсу источника питания подключены эмиттеры транзисторов 2 и 4. База транзистора 4 подключена к выходу усилителя через резистор 7, а через резистор 8- к выходу источника питания 6. Коллектор транзистора 2 подключен к базе н эмиттеру транзистора 3 через стабил троны 9 и 10 соответственно. Параллельно стабилитрону 10 включен резистор 11.

База транзистора 3 подключена через два последовательно В1ключенных резистора 12 и 13 к выводу источника питания 14. К тому же выводу подключен .коллектор транзистора 3. Общая точка резисторов 12 и 13 подключена через ,конденсатО:р 15 .к выходу усилителя.

В режиме покоя ток через транзисторы 1 и 3 определяются напряжением на участке база-эмиттер транзистора 2 и током коллектора транзистора 4, 1который задается с помощью резисторов 5, 7 и S и напряжением на участке база - эмиттер транзистора 2.

Ток покоя транзистора 2 определяется резисторами 12 и 13 и цепью смещения, подключенной ко входу усилителя. j

Напряжение на -стабияитроне 9 выбрано близким к напряжению иа участке база-эмиттер тра-нзистор:а 3. Бели оно несколько превышает по абсолютной -величине ;напряжен,ие па участке база-эмиттер транзистора 5, через резистор // протекает ток -в направлении от эмиттера праизлстора 3 к коллектору транзистора 2. При этом стабилитрон 10 не должен быть пробитым.

Дрейф тока локоя транзисторов 1-3 компенсируется в дадном усилителе так же, как в известном. Дрейф тока покоя транзистора 4 компенсируется за счет изменения токов покоя транзисторов / ,и 3. Чтобы исключить этот дрейф, транзистор 4 в режиме покоя можно за.крыть .выбором резистора 8. При этом база пранзистора 4 должна быть подключена к выходу усилителя через дополнительные резистор и конденсатор, соединенные последовательно.

В д1И«а.мичеоко:М режиме лр.и работе усилителя в области малого сигнала нелинейные искажения уменьшают выбором небольшого сопротивления резистора 11 с компенсацией напряжения на участке база-эмиттер транзистора 3 при помощи стабилитрона 9.

YlipH работе усилителя в области большого сигнала в отрицательный полупериод на выход работают транзисторы / ,и 2, стабилитрон W пробит. Ток через резистор 7 уменьшается, транзисторы 4 VI 3 закрываются и не влияют на работу усилителя. В другой полупериод на выход усилителя работают транзисторы 1-4.

В этот период с ростом тока эмиттера транзистора 3 растут ток через резистор 6 и коллекторный ток тр,анзистора 4. При этом ток эмиттера транзистора / нарастает на величину изменения тока коллектора транзистора 4.

Увеличение тока через транзистор /, который .включен IB петле отрицательной обратной связи по схеме с общей базой, эквиаалентно у.меньшению общего сопротивления базовой цепи транзистора / .и соответственно увеличению коэффициента усиления по току

4

входного каскада в иетле, который приближается при этом к коэффициенту усиления по току.

Коэффициент усиления по току в петле транзистора / может быть учтен в коэффициенте усиления (Kiz) по току в петле транзистора 3, который находится из выражения:

1

Л-/з

.()

б Л/4

Rf - сопротивление источника сигнала;

;

Ro - сопротивление базовой цепи для для выходного транзистора 3;

/Ci4 - коэффициент усиления ио току каскада на дополнительном транзисторе 4;

аьяз - коэффициенты усиления транзисторов / и 5 в схеме с общей базой.

В связи с этим растет глубина отрицательной обратной овяЗИ в петле, в которую входят транзисторы 1-3, что уменьшает искажения усилителя в области большого сигнала.

Формула изобретения

Усилитель мощности, содержащий входной транзистор, эмиттер которого подключен к эмиттеру первого выходного транзистора непосредственно, а к его базе - через встречно включенные стабилитроны, точ:ка соединения .которых подключена К коллектору второго .выходного транзистора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажений в области больших сигналов, в него введен дополнительный транзистор, переход эмиттер-коллектор которого подключен .параллельно коллекторному резистору входного транзистора, а база через дополнительно «веденный резистор дел.ителя напряжения подключена к точке соединения эмиттеров входного и первого выходного транзисторов.

t

Вкод 0

6 -7