1
Изобретение относится к области медицины и может найти прнменение в криминалистике н судебной экспертизе.
Известен способ увеличения четкости отображения всех деталей с помощью дактилоскопической краски, нанесенной на поверхностн.
Однако известный способ является трудоемким.
С целью упрощения способа повер.хность подвергают действию потока атомарного кислорода при его плотности (4-7) 10 атом/см с, давлении 0,1-0,2 торр и темнературе 25- 30°С.
Способ осуществляют следующи.м образом.
Пример. Полиэтиленовую пленку с невидимыми следами контакта с ней инородных тел н веществ (отпечаток нальца, след контакта с поверхностью нолнэтиленовой пленкинронилового спирта, после контакта нропиловый спирт удаляется испарением) помещают в рабочую камеру при давлении 1,6-10 торри температуре 25°С и направляют на ее поверхность поток атомарного кислорода плотностью 6, атом/см с в течение 5 ч.
После обработки на поверхностн пленки отчетливо проявляются следы воздействий, которые могут быть сфотографированы и увеличены до требуемых размеров.
Ф о р м л а изобретения
Снособ выявлен Я следов контакта инородных веществ путем воздействия вещества на поверхность материала, отличающийся тем, что, с целью унрощения снособа, поверхность подвергают действию потока атомарного кнслорода прнего плотности (4-7) Ш атом/см с, давлепии 0,1-0,2 торр и температуре 25-30°С.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs | 2010 |
|
RU2458430C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Cu-Ge ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs | 2010 |
|
RU2436184C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ge И Cu | 2009 |
|
RU2422941C2 |
СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ ОТПИРАНИЯ GaN ТРАНЗИСТОРА | 2016 |
|
RU2642495C1 |
АБРАЗИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПРЕЦИЗИОННОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1994 |
|
RU2136483C1 |
ЛАВИННЫЙ ФОТОДИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2021 |
|
RU2769749C1 |
Способ подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии | 2016 |
|
RU2642879C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ДИСИЛИЦИДА ЕВРОПИЯ НА КРЕМНИИ | 2015 |
|
RU2615099C1 |
ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2011 |
|
RU2460172C1 |
ПРИМЕНЕНИЕ ВАКУУМНОГО ОСАЖДЕНИЯ ГЕРМАНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ СРЕДЫ ГЕРМАНА В КАЧЕСТВЕ СПОСОБА УДАЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ С РАБОЧЕЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЁНКИ ГЕРМАНИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ УКАЗАННОЕ ПРИМЕНЕНИЕ | 2016 |
|
RU2622092C1 |
Авторы
Даты
1975-11-15—Публикация
1972-11-04—Подача