Способ выявления следов контакта инородных веществ Советский патент 1975 года по МПК A61B5/10 

Описание патента на изобретение SU491376A1

1

Изобретение относится к области медицины и может найти прнменение в криминалистике н судебной экспертизе.

Известен способ увеличения четкости отображения всех деталей с помощью дактилоскопической краски, нанесенной на поверхностн.

Однако известный способ является трудоемким.

С целью упрощения способа повер.хность подвергают действию потока атомарного кислорода при его плотности (4-7) 10 атом/см с, давлении 0,1-0,2 торр и темнературе 25- 30°С.

Способ осуществляют следующи.м образом.

Пример. Полиэтиленовую пленку с невидимыми следами контакта с ней инородных тел н веществ (отпечаток нальца, след контакта с поверхностью нолнэтиленовой пленкинронилового спирта, после контакта нропиловый спирт удаляется испарением) помещают в рабочую камеру при давлении 1,6-10 торри температуре 25°С и направляют на ее поверхность поток атомарного кислорода плотностью 6, атом/см с в течение 5 ч.

После обработки на поверхностн пленки отчетливо проявляются следы воздействий, которые могут быть сфотографированы и увеличены до требуемых размеров.

Ф о р м л а изобретения

Снособ выявлен Я следов контакта инородных веществ путем воздействия вещества на поверхность материала, отличающийся тем, что, с целью унрощения снособа, поверхность подвергают действию потока атомарного кнслорода прнего плотности (4-7) Ш атом/см с, давлепии 0,1-0,2 торр и температуре 25-30°С.

Похожие патенты SU491376A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs 2010
  • Ерофеев Евгений Викторович
  • Кагадей Валерий Алексеевич
RU2458430C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Cu-Ge ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs 2010
  • Ерофеев Евгений Викторович
  • Кагадей Валерий Алексеевич
RU2436184C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ge И Cu 2009
  • Ерофеев Евгений Викторович
  • Кагадей Валерий Алексеевич
RU2422941C2
СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ ОТПИРАНИЯ GaN ТРАНЗИСТОРА 2016
  • Ерофеев Евгений Викторович
RU2642495C1
АБРАЗИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПРЕЦИЗИОННОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1994
  • Селифанов Олег Владимирович
  • Точицкий Эдуард Иванович
  • Акулич Валерий Владимирович
RU2136483C1
ЛАВИННЫЙ ФОТОДИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2021
  • Чистохин Игорь Борисович
  • Путято Михаил Альбертович
  • Преображенский Валерий Владимирович
  • Рябцев Игорь Ильич
  • Петрушков Михаил Олегович
  • Валишева Наталья Александровна
  • Левцова Татьяна Александровна
  • Емельянов Евгений Александрович
RU2769749C1
Способ подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии 2016
  • Валишева Наталья Александровна
  • Левцова Татьяна Александровна
  • Торопов Александр Иванович
  • Бакаров Асхат Климович
RU2642879C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ДИСИЛИЦИДА ЕВРОПИЯ НА КРЕМНИИ 2015
  • Аверьянов Дмитрий Валерьевич
  • Сторчак Вячеслав Григорьевич
RU2615099C1
ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2011
  • Анищенко Екатерина Валентиновна
  • Арыков Вадим Станиславович
  • Ерофеев Евгений Викторович
  • Кагадей Валерий Алексеевич
RU2460172C1
ПРИМЕНЕНИЕ ВАКУУМНОГО ОСАЖДЕНИЯ ГЕРМАНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ СРЕДЫ ГЕРМАНА В КАЧЕСТВЕ СПОСОБА УДАЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ С РАБОЧЕЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЁНКИ ГЕРМАНИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ УКАЗАННОЕ ПРИМЕНЕНИЕ 2016
  • Денисов Сергей Александрович
  • Чалков Вадим Юрьевич
  • Шенгуров Владимир Геннадьевич
  • Филатов Дмитрий Олегович
  • Гусейнов Давуд Вадимович
  • Шенгуров Дмитрий Владимирович
  • Горшков Алексей Павлович
  • Волкова Наталья Сергеевна
  • Алябина Наталья Алексеевна
RU2622092C1

Реферат патента 1975 года Способ выявления следов контакта инородных веществ

Формула изобретения SU 491 376 A1

SU 491 376 A1

Авторы

Багиров Мирза Айюбович

Волченков Евгений Яковлевич

Осколонов Виктор Алексеевич

Даты

1975-11-15Публикация

1972-11-04Подача