Формула изобретения
Матричное запоминающее устройство, содержащее пластину из аморфного полупроводника, адресные щины и диодные элементы памяти, соединенные последовательно с развязывающими элементами из халькогенидного стекла, отличающееся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, повыщеНИН надежности и радиационной стойкости, диодные элементы памяти выполнены в виде каналов в пластине аморфного полупроводника, на торцы которых нанесены металлические пленки, поверх которых с одной стороны непосредственно, а с другой стороны на пленке из халькогенидного стекла расположены адресные щины.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ЭФФЕКТОМ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ | 2015 |
|
RU2609764C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ЭФФЕКТОМ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ | 2016 |
|
RU2631071C2 |
| СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВЕННОГО СОСТАВА БИНАРНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПЛЕНОК ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА АВ (А=Р, As, Sb, Bi И B=S, Se, Те) | 2010 |
|
RU2433388C1 |
| Электрически перепрограммируемый запоминающий прибор | 2016 |
|
RU2618959C2 |
| Носитель для записи и считывания информации электронным лучом | 1986 |
|
SU1786532A1 |
| ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВЕННОГО СОСТАВА ТРОЙНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ И ПЛЕНОК ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА A(BC) | 2012 |
|
RU2489707C1 |
| Способ определения фактической площади контактирования и характера распределения токов в плоскости контактирования электрических контактов | 1988 |
|
SU1709414A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФАЗОВЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ МИКРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | 2018 |
|
RU2687889C1 |
| Триггер | 1977 |
|
SU666644A1 |
| СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В ЗАПОМИНАЮЩУЮ ЯЧЕЙКУ | 2020 |
|
RU2755005C1 |
