(54) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| ФОТОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО | 1995 |
|
RU2105087C1 |
| ДАТЧИК ТЕПЛОВОГО ПОТОКА | 2003 |
|
RU2242728C2 |
| КАЛОРИМЕТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК | 1968 |
|
SU219262A1 |
| Термопара для измерения низких температур | 1983 |
|
SU1138663A1 |
| Термопара для измерения низких температур | 1983 |
|
SU1120181A1 |
| ЛЕГИРОВАННЫЕ ТЕЛЛУРИДЫ СВИНЦА ДЛЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ | 2007 |
|
RU2413042C2 |
| Устройство для измерения температуры | 1976 |
|
SU657272A1 |
| ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДИЦИОНЕР ДЛЯ ТРАНСПОРТНОГО СРЕДСТВА | 2000 |
|
RU2165363C1 |
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ТЕПЛООБМЕНА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ | 1992 |
|
RU2011979C1 |
| ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ | 1991 |
|
RU2013815C1 |
1
Изобретение относится к области измерения температуры ио величине термоз.д.с. иможет быть ийпользовано для контроля темлературы различных технологических nipo.ueccoB.
Известные термоизмерительные устройства обладают малой чувствительностью, обычно не превышающей неоколыко десятков мкв/град, или наличием сложной измерительной аппаратуры при более высокой чувствительности термодатчика.
Предлагаемый термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры позволяет получить чувствительность в несколько сотен мкв/град., а измерять индуцируемую им т.э.д.с. можно обычным милливольтметром без дополнительных электронных приборов за счет использования в качестве материала термодатчика гидрата закиси никеля.
Термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры представляет собой плоскую пластину толщиной, например, 1-2 мм, цилиндрической или прямоугольной формы, изготовленную прессованием под давлением 5000-6000 кг/см2 из порошка гидрата закиси никеля промь1шленного производства. На противоположные стороны . плоской поверхности пластины методом вакуумного катодного напыления нанесены серебряные токопроводящие электроды, характерный размер которых составляет, например, 0,9 характерного размера плоской поверхности, причем к серебряным электродам припаяны медные токоотводы.
Выходное сопротивление термодатчика составляет 10 3-10 ом.
С помощью обычного вольтметра, например, типа М265М измеряют т.э.д.с. датчика, помещенного в температурное поле с градиентом температуры, направленным преимущественно от одной плоской поверхности к другой. Устройство позволяет измерять температуру в диапазоне (-50) - (-f 200)°С с чувствительностью 1200 мкв/град, обладает линейной зависимостью т.э.д.с. от разности тепловоспринимающих поверхностей датчика.
Формула изобретения
Термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, он выполнен из гидрата закиси никеля.
