Способ размагничивания сферического многослойного ферромагнитного экрана Советский патент 1976 года по МПК H01F13/00 

,.ои ударной нагрузки вдоль оси, перпендикулярной к плоскости стыка внутренней магнитной оболочки экрана при величине ускорения в пределах от 5 до 80 f.

На фиг. 1 показан многослойный ферромагнитный экран с попеременно чередующимися магнитными и немагнитными оболочками; на фиг. 2 показанарасположение внутренней магнитной оболочки многослойного экрана относительно системы.крор-: динат и стола ударного стенда (другие оболочки и крепление всего многослойного экрана к столу удар:ного стенда не показаны.

Ферромагнитный экран содержит, ма гнитные 1 и немагнитные 2 оболочки, установленные на столе 3. Для эффективногсрразмагничивания сферическсго многослойного ферромагнитного экрана, стыки оболочек которого расположены взаимно перпендикулярно, т.е, с отверстием, проходящим сквозь экран (eft. фиг. 1), необходимо предварительно Закрепить данный экран на столе 3 ударного стенда,: например, марки SP S 80. Конструкция крепления может быть любой, до должна обеспечивать мак си- i мальную жесткость крепления экрана к столу ударного стенда при минимально возможной деформации, его наружной оболочки. Следует: предотвращать не- посредственное касание внешней оболочки экрана

стола ударного стенда. Перед окончательным креплением экра его необходимо ориентировать относительно горизонтальной поверхности стола стенда так, чтобы плоскосй., проходящая череЬ стык внутренней

оболочки экрана (см. фиг. 2), была параллельно столу ударного стенда (то есть ось ОУ должна быть перпендикулярна к столу). После ориентации,многослойного относительно стола ударного необходимо провести однократную операцию размагничивания постепенно уменьшающимся переменным . (50 г .магнитным полем, максимальная напряженность которого не менее 10 э на расстоянии от размагничивающего кабеля, равном радиусу первой внутренней оболочки многослойного экрана. В данном не имеет значения, как уменьшается амплитуда переменного поля (вручную или автоматически) . Несущественны также возможные искажения синусоидальности переменного поля, которые приво-, дят к величинЛ1апряженностй, остаточного поля j экрана после размагничивания, равной -25-30 гамм. Такая величина напряженности остаточного поля в центре экрана после размагничивания является совершенно неудовлетворительной как для проведет1я исследований физических свойств ферромагнитного экрана, так и для, удовлетворительной ра;боты чувствительного элемента магнитометра на эффекте Ханпе. Кроме того, размагничивание до уровня величины напряженности поля, равной 2530 гамм, легко провести однократным актом. После этого экран подвергают ударной нагрузке. Минимальная величина ускорения, возникагощего при ударе, при котором (аблюдается эффект размагничивания, составляет 5 ,тде -ускорение свободного паде нйя. Максймальн ая величина у(Ясорения, при kotoppM наблюдается эффект размагничивания, составляет 80 f При величинах ускорений меньших 5}- и больших 80 j исследования не проводили. При этом самые лучшие результаты получены в диапазоне величин ускорений от 20 до BQj, Величина напряженности остаточного поля в центре экрана, после воздействия однократной ударной нагрузки составляет 2-3 , гаммы. Данная senHtHHa напряженности остаточного поля как и повторяемость результатов размагничи-® вания является вполне достаточной для проведения необходимых исследований физических характеристик экранов и для успешного иг использования (в состоянии, получе1шом таким способом размагничива ния) в защите чувствительного элемента магнитометра на эффекте Ханле.

Формула изобретения

СпосоО размагничивания сферического многослойного ферромагнитного экрана с взаимно перпендикулярным расположением стьпсов и сквозным- отверстием, основанный на создании в экранированном объеме переменного магнитного поля с убывающей амплитудой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа циклов размагничивания до одного и получения при этом эффективного размагничивания в геомагнитном поле, экран ориентируют так, чтобы плоскость стыка внутренней, магнитной оболочки располагалась в горизонтальной плоскости, жестко закрепляют на столе ударного стенда, однократно размагничивают переменным уменьшающимся по ама;.итуде магнитным полем до величины, например, 25-30 гамм в центре экрана и подвергают воздействуют однократной ударнрй нагрузки вдол ОСИ, перпендикулярной к плоскости стыка внутрен-, ней магнитной оболочки экрана при величине ускорения в пределах от 5 до 80 9

Фиг.1

Ф1/г.2