Неоднородное примесное стекло для объемной фотолитографии Советский патент 1978 года по МПК H01L21/64 

жит нгшежньм экраном против проникновения окислителя.

Предлагаемое неоднородное примесное стектго получают, например, слецупцим способом на очищенную поверхность подложки наносят слой боросиликатного свекла из раствора толщиной 0,15 мкм, который в последующем формируют при 450 С. При помощи реактивного распыления с двух мишеней, в атмосфере, содержгицей инертный газ и кислород, одновременно распыляют алюминий и кремний высокой чистоты. При достижении толщины алюмосиликатного стекла 0,15 мкм, мишень с алюминием перекрывают и наносят слой чистой двуокиси кремния толщиной 0,15 мкм.

Применение предлагаемого неоднородного стекла позволяет уменьшить размеры транзисторных структур, благодаря чему увеличивается быстродействие и граничная рабочая частота построенных на их основе интегральных схем. Уменьшением размеров структур также можно воспользоваться для уменьшения потребляемой мощности без уменьшения быстродействия, в тех применениях ИС, где уменьшение потребляемой мощности является существенным.

Формула изобретения

Неоднородное примесное стекло для объемной фотолитографии, содержащее нижний легирукяций слой и верхний маскирующий слой из чистой двуокиси кремния, отличающееся

тем, что, с целью обеспечений создания транзнсторных структур субмикронных размеров, между легирующим и маскирующим слоями размещен экранирующий слой, состоящий из 30-95вес.%

окиси алюминия, остальное - двуокись кремния.