Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах Советский патент 1993 года по МПК H03H3/08 

Фиг. 8

Изобретение относится к радиоэлектонике, и может быть использовано при зготовлении акустоэлектронных устойств на поверхностных и объемных кустических волнах (АВ),

Целью изобретения является увеличение выхода годных.

На фиг. 1-9 представлена последовательность операций способа изготов- JQ ления элементов устройств, работающих на АВ.

Способ изготовления элементов устройств, работающих на АВ, включает формирование с помощью маскирующего f5 слоя фоторезиста 1 на рабочей поверхности звукопровода 2 группы полосок первого металлического слоя 3 методом обратной фотолитографии, формирование поверх нее диэлектрического 20 слоя Ц, дополнительное нанесение слоя фоторезиста 5, его экспонирование со стороны поверхности звукопроводэ, про- ,тивополошной рабочей, и проявление, напыление второго металлического слоя,., удаяение второго металлического слоя 6 со слоем фоторезиста.

Пример. На рабочую поверхность звукопровода 2 из ниобата методом центрифугирования наносили слой фоторезиста 1 марки ФП-РН-7 тол- 30 щиной 0,8 мкм (фиг. 1) с последующей его сушкой при 90°С в течение 30 мин. Затем слой фоторезиста 1 засвечивали через фотошаблон, содержащий рисунок группы полосок первого металлическо- 35 го слоя, после чего в фоторезисте 1 вскрывались окна путем его проявления в 0, КОН (фиг. 2) и проводилась его последующая вторичная сушка при 115°С в течение 30 мин. 40 Затем на оставшиеся участки фоторе- зистз 1 и вскрытые участки рабочей поверхности эвукопровода 2 методом магнетронного распыления в аргоновой плазме наносили металлический слой 3 (фиг. 3), состоящий из подслоя нихрома толщиной 0,03 мкм и слоя алюминия толщиной 0,15 мкм. Для подавления кристаллизации окисла алюминия при его последующем оксидировании в це- 50 лях создания на поверхности полосок металла оксидного слоя, в алюминий мишени магнетрона в виде добавки вводился германий (1$). Давление в вакуумной камере составило 1-0,5 Па 55 при температуре звукопровода 200 С.

ва

Цапее проводилась операция взры- - удаление участков фоторезиста

1 со слоем находящейся на них металлизации путем выдержки в сосуде, содержащем растворитель фоторезиста в течение 20 мин, и обработки ультразвуком в течение 2 мин. В результате формировалась группа полосок первого металличесчого слоя (фиг. ). Затем на рабочую поверхность звукопровода 2 и на группу полосок первого металлического слоя 3 методом магнетронного распыления кремниевой мишени в кислородноартоновой плазме (процентное соотношение кислорода и аргона 50$/50$) наносилась пленка двуокиси кремния Ц толщиной 0,025 мкм (фиг. 5). Полученная структура затем покрывалась слоем фоторезиста

5(фиг. 6), который высушивался и засвечивался через фотошаблон, содержащий рисунок периметра встречно- штыревого преобразователя (ВШП), причем источник засветки и фотошаблон располагались над поверхностью звукопровода, противоположной его рабочей поверхности. Фотошаблон совмещался

со структурой, уже сформированной на рабочей поверхности так, чтобы группа полосок первого металлического слоя полностью содержалась в окне фотошаблона. Излучение засветки (длина волны света порядка 0.2 мкм и менее - ближний ультрафиолет) проходило через фотошаблон, через звукопровод 2 из ниобата лития (слабо поглощающий ближнее ультрафиолетовое излучение) и достигало фоторезиста 5, пройдя также прозрачный тонкий слой двуокиси кремния . Фоторезист 5 засвечивался лишь в тех участках, которые . не были затенены полосками металла первой группы 3 (фиг. 6). Засвеченные участки фоторезиста 5 зётем удалялись (фиг. 7). После этого наносился слой

6металлизации, также состоящий из подслоя нихрома (0,03 мкм) и слоя алюминия (0,15 мкм) (фиг. 8). Участки фоторезиста со слоем металлизации удалялись методом взрыва, в результате в промежутках между полосками металла первой группы формировались полоски металла второй группы, на чем и завершался процесс изготовления ВШП (фиг, 8).

Другой вариант конкретной реализации изложенного способа заключался в изготовлении той же структуры (ВШП), однако операция нанесения слоя диэлектрика на поверхность полосок металла первой группы заключалась в оксидировании их поверхности методом отжига в атмосфере (на воздухе) при 00°С в течение 5 мин. Толщина слоя оксида, формируемого на поверхности полосок металла (алюминий с добавкой германия),опять же была равна . 0,025 мкм. Как уже говорилось выше, добавка германия ингибировала процесс кристаллизации оксидной пленки, что приводило к улучшению ее изолирующих свойств.

Изготовленные предложенным спосо- .бом ВШП имели зазор между соседними электродами (между соседними полосками металла первой и второй групп)} равный 0,025 мкм, что на порядок меньше, чем величина зазоров, получа- емая ранее известным способом. Толщина слоя диэлектрика изменялась от точки к точке в пределах 1% в случае нанесения пленки двуокиси кремния и 5% в случае оксидирования поверхнос- ти полосок металла. В обоих случаях слой диэлектрика был однороден, обладал хорошей морфологией и высоким пробойным напряжением. Именно эти

характеристики позволили достичь 80$ выхода годных изделий при использовании описанного способа в лабораторных условиях.

Ф

ормула изобретения

Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах, включающий формирование с помощью маскирующего слоя фоторезиста на рабочей поверхности звукопровода группы полосок первого металлического слоя, напыление второго металлического слоя, удаление части второго металлического слоя со слоем фоторезиста, проявление, отличающийся тем, что, с целью повышения „процента выхода годных, после формирования группы полосок первого металлического слоя методом обратной фотолитографии поверх нее формируют диэлектрический слой, на который дополнительно наносят слой фоторезиста, проводят его экспонирование со стороны поверхности звукопровода,(Противоположной рабочей, после чего осуществляют проявление.

Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является повышение процента выхода годных. Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах включает формирование с помощью маскирующего слоя фоторезиста на рабочей поверхности звукопровода 2 группы полосок первого металлического слоя 3 методом обратной фотолитографии, формирования поверх нее диэлектрического слоя 4, дополнительное нанесение слоя фоторезиста 5, его экспонирование со стороны поверхности звукопровода, противоположной рабочей, и проявление, напыление второго металлического слоя, удаление второго металлического слоя 6 со слоем фоторезиста. 9 ил. а Э (Л

Фиг. 4

Фиг, 5

- Фиг.В

Г/77ЯЪ фиг.7

te.9