(54) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Фоточувствительный материал | 1978 |
|
SU723697A1 |
| Фоточувствительный материал на основе селенида олова | 1977 |
|
SU657478A1 |
| СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ ОБЫКНОВЕННОГО ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ НЕЛИНЕЙНОГО КРИСТАЛЛА GaSe | 2011 |
|
RU2472876C1 |
| Материал для изготовления фоторезисторов | 1977 |
|
SU642799A1 |
| Способ записи оптической информации на электрофотографическом носителе | 1982 |
|
SU1056126A1 |
| НЕЛИНЕЙНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1980 |
|
SU1839800A1 |
| СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР НА ОСНОВЕ ЭЛЕМЕНТОВ II-VI ГРУПП | 2013 |
|
RU2639605C2 |
| ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ И ОПТРОН НА ИХ ОСНОВЕ | 2004 |
|
RU2261502C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ СЕЛЕНИДА СВИНЦА | 2019 |
|
RU2745015C2 |
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СЕРЫ В ЛЕГИРОВАННОМ СЕЛЕНИДЕ ГАЛЛИЯ | 2010 |
|
RU2442149C1 |
1
Изобретение относится к области фоточувствительных материалов для фоторезисторов.
Известны фоточувствительные материалы на основе селенида галлия, работающие при малых освещенностях.
Однако такие материалы обладают низкой фоточувствительностью в видимой области спектра.
С целью повышения фоточувствительности при малых освещенностях предложено материал на основе селенида галлия легировать Bi2Se3, причем оптимальный состав соответствует формуле (GaSe)i-x-(В125ез)х, где х - 0,003-0,01.
Материалы могут быть получены путем
сплавления исходных селенидов в эвакуированных кварцевых ампулах (до 10 мм рт. ст.) при 980°С в течение трех часов с последующей выдержкой при 720°С в течение двух часов.
Формула изобретения
Фоточувствительный материал на основе селенида галлия для работы при малых освещенностях, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности, он легирован Bi2Se3, при этом состав соответствует формуле (GaSe)i-x-(BiaSes), где х - 0,003-0,01.
