3642799
В виде таблеток отжигают при
раэцы
,200 С в течение 1 нед, после чего шлифуют до толщины ГУ мм и полируют,
Оптические параметры поликристаллических образцов материалов на основе Cd Se представлены в таблице.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Датчик для регистрации процесса дыхания | 1985 |
|
SU1299571A1 |
| Способ определения кадмия в присутствии селенида кадмия | 1989 |
|
SU1718103A1 |
| МИШЕНЬ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ ПЕРЕДАЮЩЕЙ ТРУБКИ ТИПА БИДИКОНА | 1973 |
|
SU364980A1 |
| МИШЕНЬ ВИДИКОНА | 2004 |
|
RU2273074C1 |
| ВПТ5ФВад а:ш::;:пит; | 1973 |
|
SU395925A1 |
| Люминесцентный материал на основе селенида индия | 1989 |
|
SU1687592A1 |
| Способ определения кадмия | 1988 |
|
SU1679248A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРОВОДЯЩИХ РАДИАЦИОННО СТОЙКИХ ПЛЕНОК | 2006 |
|
RU2328059C1 |
| ОТВЕРЖДАЕМЫЕ СОСТАВЫ ДЛЯ ЛАМИНИРУЮЩИХ АДГЕЗИВОВ | 2015 |
|
RU2699796C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ | 2010 |
|
RU2417863C1 |
3CdSe99,0468-10 0,0й l-io %2 0.954 4CdSe98,6588-10 0,08 1- ю 0,5 1,342 5CdSe95,998 4,0028-10 0,08 IlO 6 CdSe 93,378 6,4-10 0,08 810 а«. 6,622 Приготовленные таким образом образцы (пп. 3, 4, 5, 6 таблицы) подвергают оптическим измерениям, результаты которых в сопоставлении с CdSe и прототипом приводятся в таблице и на чертеже. Как видно из данных таблицы и чертежа,исследуемые образцы чувствительны в пределах длин волн 0,54-1,30 мкм при значительно более низких значениях рабочего напряжения и освещенности {0,5 Ви 0,08 лм софтветственно) ,чвм у CdSe и прототипа, у которых чувствительность- соответственно лежит в пределах 0,40-0,96 мкм и 0,68-1,12 мкм при напряжении 400 В я освещенности 200 лм, т.е. предлагаемый материал экономически более рыгоден, чем прототип. Следует отметить, что максимальное значение интегральной чувствительности предлагаемого материала в области дли 1волн 0,75-0,80 мкм колеблется в преде лах 0,4-10 -3,6-10 мкА/лМВ и Д5 1,57-,62,,эВ, когда эти же значения
-0,40-0,90
0,5-0,67 1,55
МО
-0,68-1,12 0,5 3,410 0,7700 1,57 0,139 0,54-1,30 0,503,,7650 1,62 0,143 1,62 0,035 0,50 0,8-10 ,u, 7650 1,59 0,012 0,50 0,4-10 0,7800 для Cd Se соответственно равны 3 х . 10 мкА/лм В и 1,55 эВ (у прототипа нет данных). Наилучшие фоточувствительные свойства проявляет образец состава CdSe 98,658 вес.% -+ Л 1г342 вес.%. Формула изобретения Материал для изготовления фоторе- . зисторов, чувствительный к инфракрасному и красному диапазонам спектра, включающий селенид кадмия и йод, отличающийся, тем, что, с целью расширения области спектральной чувствительности фоторезисторов, материал содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес.%: Селенид кадмия 93,378-99,046 ЙодОстальное. Источники информации, принятые во вниманиепри экспертизе: 1. Патент США 3598760, кл. 252-501, 1971.
- 0:5НО{1 to Jf
- t,0HOfl./o 32 i -3,0нал./б У2
о ,/t 3
