Гальваномагнитный охладитель Советский патент 1978 года по МПК H01L37/00 

Изобретение относится к прямому преобразователю энергии, а конкретно к устройствам, использующим гальванома нитные эффекты. Известен гальвансмагиитный охладитель на основе эффекта Эттинсгаузена, состоящий из термоэлектрически анизот ропного кристалла, магнита и источника питания. Однако известный охладитель облада низкой энергетической эффективностью и малой глубиной охлаждения. Так, при использовании монокристаллов из твердых растворов висмут-сурьма можно получить снижение температуры ниже температуры кипения жидкого азота не более чем на , а при использовании монокристаллов чистого висмута - не более . Цель изобретения - увеличить энерг тичную эффективность и глубину охлажд ния. Это достигаетмя тем, что кристалл выполнен с двойниковглми прослойками. Монокристалл может быть изготовлен из висмута и иметь различную форму. Для лучшего отвода тепла целесообраз но пропускать хладагент через централь ный канал. Ток пропускают вдоль триго нальной оси монокристалла, а магнитное поле направляют перпендикулярно к одной из бинарных осей. Наличие двойников приводит к резкому возрастанию глубины охлаждения. Например, для гальваномагнитного охладителя с использованием монокристалла висмута, выполненного с двойниковьми прослойками, снижение температуры ниже температуры кипения жидкого азота составляет в случае цилиндрической формы кристалла случае кристалла в форме треугольной призмы экспоненциального сечения 11С. В случае наиболее благсшриятной ориентации снижение температуры может достигать . Формула изобретения Гальваномагнитный охладитель на основе эффекта Эттинсгауэена, состоящий из термоэлектрически анизотропного кристалла,магнита и источника питания, отличающийся тем, что, с целью увеличения энергетической эффективности глубины охлаждения, кристалл выполнен с двойниковьин прослойками .