Раствор для локального травления пленок арсенида галлия Советский патент 1976 года по МПК C23F1/02 

(54) РАСТВОР ДЛЯ ЛОКАЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к микроэлектронике, в . частности к растворам для травления защищенных слоем фоторезиста протяженных (до 800-1000 мкм элекюнтов в эпитаксиальных пленках GixAS ши риной 1,0-1,5 мкм с зазорами между линиями, 1,5. 2,0 мкм. Локальное травление защищенных слоев фоторезиста пленок OaAS используется при изготовлении меза-лланарных транзисторов, работаю} щнх в СВЧ-ди пазоне. Известен раствор для локал-.ного травления пленок арсенида галлия, содержащий плавиковую кислоту и перекись водорода. Однако травление защищенных слоем фоторезиста протяженных (до 300-1000 мкм) элементов в зпитаксиальных пленках G о- К S шириной 1,0-1,5 мкй с зазорами межйу лишями 1,5-2,0 мкм на глубину 1,0-2,0 мкм не может быть осуществлено т одним из известных травителей. Либо травитель не является полирующим к используемой плоскости (100), либо обладает недопустимо больщой скоростью травления (1,0 К.М . выше), либо дает V образный профиль травления с одновременным разрущением пленки фоторезиста, либо обладает диффузионным характером травления б а AS с повыщенной скоростью травления эпитаксиальной пленки вблизи краев защитной маски фоторезиста, являясь основной пришной отклонения профиля травления по вертикали, либо, наконец, травитель образует окнсные соединения на поверхности баАэ (что недопустимо в меза-планарной технологии). С целью обеспечения заданных размеров фигур травления и исключения подтравливания краев пленок, он дополнительно содержит фторид аммония при следующем соотношении компонентов , v06.%j; Плавиковая кислота3,8-5,7 Перекись водорода1,5-26 Фторид аммонияостальное Раствор обеспечивает получение полированной поверхности дна фигур травления, вертикальный профиль травления при ckopocra травления 0,4 в условиях комнатной TeNmepaTypbi (20°С) и не разрупиет пленки фоторезиста. Травление эпитаксиальных пленок б о. AS проводится в объеме с переме3 3 «даванием раствора со осоростью 60 JJ Уcтaш)влея кинейадоеий характер травления fciAS для створе предложенного состава, ктггорый не дает аосле проведения процесс, травления окисных соедйнений на поверхности полупроводника. ТГредложенный раствор позволяет контролироватьвеличину снимаемого зпитаксиального слоя &А AS с получением требуемого профиля травления необходимой глубины. по глубине травления на шшсгане с нанесенной зпитаксиальной пленкой Ю. шсм составляет не более 10%. 4 Формула изобретения Раствор для локального травления пленокip -}, лща галлия, содержащий плавиковую кисйоту и пе рекись водорода, отличающийся тем, что, с / целью обеспечения заданных размеров фигур травления и исключения подтравливания краев пленок, °и дополнительно содердаят фторид аммония при следующем соотношении исходныхкомпонентов, 06.%/:; Плавиковая кислота 3,8-5,7 Перекись водорода 15-26 Фгорид аммония (Ильное.