Изобретение относится к химической обработку металлов и может быть использовано :в микроэлект-. ровике для получения конфигурации на пленках алюминия, нанесенных на. диэлектрические пленки моноалюмината неодима при производстве больших гибридных интегральных бхем.
Пленки сшюминия -и моноалюмината неодима используются в настоящее время для изготовления тонкопленочкых конденсаторов и многослойных тонкопленочных коммутационных плат. Конфигурацию этих пленок получают методом фотолитографии и химического травления. При этом необходимо, чтобы химический трави ель пленок алюминия, лежащих на пленках мсэноалюмината неодима, не воздействовгш на моноапюминат неодиму, защитную маску из позитивного фоторезиста и ПОЗВОЛЯЛ производить травление пленок .алюминия с высокой скоростью. Кроме того, травитель должен обеспечивать равномерный край травления пленок алюминия.
Известны кислотные и щелочные растворы для травления пленок алюминия, содержащие фторид-ионы и хромовый ангидрид tl} .
При обработке пленок алюминия этими растворами происходит травление пленки моноалюмината неодима.
Наиболее близким к предлагаемому раствору является травитель пленок алюминия С23/ содержащий в своем составе следующие компоненты: Хромовый ангидрид,г 0-80 Фторид щелочного метал10ла, г5-15
Коллоид (сухое вещество) жидкое стекло, или декстрин, или крахмал, .г0,1-5
15
Соль кадмия, г 20-40 Вода, мл1000
Однако при использовании данного раствора происходит травление пленки моноапюмината неодима, яв20ляющегося .подложкой, и выделяющийся при растворении алюминия водород приводит к нарушению четкости контура конфигурации и снижению скорости травления пленок алюми25ния. .
Цель изобретения - повышение скорости и равномерности травления пленок сШюминия,нанесенных на, пленки моноалюмината неодима, и сни30жение подтравливания подложки.
Указанная цель достигается тем:, что в отличие от известного раствора, содержащего хромовый ангидрид, фторид-ионы и воду, раствор дополнительно содержит перекись водорода, а в качестве источника, фторидионов - плавиковую кислоту при следующем соотнесении компонентов, вес.ч.:
Хромовый ангидрид (Сг Oj) 0,03-0,08 Плавиковая кислота3,45-9,2 Перекись водорода 145-580 Вода100-400 Этот раствор для травления пленок алюминия содержит намного меньш
окиси хрома (СгЬз), что позволяет избежать травления пленок моноалюмината неодима, а вместо фторида щелочного металла - плавиковую кислоту, которая не реагирует с пленКё1ми моноалюмината неодима. Введение перекиси водорода приводит к нейтрализации газообразного водорода, стбилизации скорости травления и получению ровного без вырывов и нарушений рисунка элементов схемы.
В таблице приведены результаты травления пленок алюминия в зависимости от граничных значений концентраций, составляющих компонентов предлагаемого раствора.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Состав для избирательного травления пленки моноалюмината неодима с алюминия | 1981 |
|
SU1019019A1 |
| Раствор для локального травления пленок арсенида галлия | 1974 |
|
SU513117A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ | 1994 |
|
RU2079865C1 |
| Раствор для травления тонкопленочной структуры титан-алюминий | 1981 |
|
SU968098A1 |
| СОСТАВ МЭ-4 ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ОКАЛИНЫ С ПОВЕРХНОСТИ ЦВЕТНЫХ МЕТАЛЛОВ И ИХ СПЛАВОВ | 1996 |
|
RU2096526C1 |
| Раствор для травления меди | 1983 |
|
SU1148898A1 |
| Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений | 2017 |
|
RU2681521C2 |
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 1989 |
|
SU1679911A1 |
| Способ формирования объемных элементов в кремнии для устройств микросистемной техники и производственная линия для осуществления способа | 2022 |
|
RU2794560C1 |
| Способ формирования изображения | 1980 |
|
SU911749A1 |
к Температура травителя (40+1}°С. Содержание в растворе хромового ангидрида мене 3 г, плавиковой кислоты менее 3,45 г, перекиси водорода менее 145 г приводит К резкому снижению скорости травления пленок алюминия и увеличению бокового подтравливания. Содержание в растворе хромового ангидрида более 0,08 г, плавиковой кислоты более 9,2 г пере киси, водорода более 580 г приводит к увеличению скорости травления пле ки алюминия. Однако при этом увеличивается скорость травления пленки моноалюмината неодима и появляется неровность края пленок алюминия. С целью определения граничных значений температуры травителя снимали зависимость скорости травления пленок алюминия и моноалюмината неодимЕ от температуры травителя оптимального состава. В результате исследований был выбран температурный интервал (4050)с травления. При температуре меньше резко снижается скорость травления, а при температуре ольше 50°С значительно уменьшается дгезия фотбрезистивной маски. Таким образом, использование предлагаемого раствора позволяет получать высококачественную конфигурацию пленок алюминия, нанесенных на пленки моноалюмината -неодима. Формула изобретения Раствор для стравливания пленок алюминия, примущественноос моноалюмината неодима, содержащий хромовый ангидрид, фторид-ионы и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости и равномерности травления и снижения подтравливани подложки, он дополнительно содержит перекись водорода, а в качестве источника фторид-ионов - плавиковую кислоту при следующем содержании компонентов, вес.ч. Хромовый ангидрид (СгОз) , 0,03-0,08
Плавиковая кислота
Перекись водородаВода
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1,Р.Ж.Химия,1975,3,Л21бП.
2, Авторское свидетельство СССР 348645, кл. С 23 F 1/02, 1970.
