Фотоприемник Советский патент 1976 года по МПК H01L31/08 

правлением оптической оси С кристалла, положение которой в кристалле определяется заранее.

Примером применения оптически анизотропного материала в качестве фотоприемника, чувствительного к поляризации излучения, служит представитель группы полупроводников типа кристаллизующихся в структуре халькопирита с группой симметрии D . Химический состав этого представителя определяется, например, формулой CdGeP2. Кристалл этого полупроводника имеет ширину запрещенной зоны Eg 1,72 эв при 300° С, прямые разрещенные переходы, является одноосным и обладает естественным двулучепреломлением. Диоды могут быть изготовлены на монокристаллических пластинках, вырезанных из объемных монокристаллических слитков вдоль оптической оси, либо на пластинках, выращенных из раствора-расплава с базовой плоскостью (112). Энергетический барьер создается с помощью диффузии из газовой фазы (р-п-переход) либо нанесением металла, например меди или индия (барьер Шоттки). Установлено, что сигнал фото -э.д.с. изменяется по периодическому закону. Такая поляризационная зависимость наблюдается в области Механизм поляризационной зависимости фото - э.д.с. определяется зонной структурой полупроводника и правилами отбора оптических переходов.

Расширение диапазона частот принимаемого излучения может быть осуществлено подбором полупроводника с соответствующей пшриной запрещенной зоны. В частности, для этой цели могут служить кристаллы полупроводников группы а именно: CdGePj - 1,7 зв; CdGeAs - 0,65 эв; ZnGeP2 - 2,0 эв и другие.

10

Формула изобретения

1.Фотоприемник, чувствительный к поляризации света, на основе ориентированного полупроводникового монокристалла с электрическими контактами, отличающийся тем, что, с целью расцшрения его спектрального диапазона и обеспечения возможности работы при комнатной температуре, он вьшолнен из оптически анизотропного монокристалла, например CdGePa с энергетическим барьером.

2.Фотоприемник по п. 1, отличающийся тем, что он вьшолнен из монокристалла с р-п-переходом.