Способ изготовления полупроводникового прибора Советский патент 1976 года по МПК H01L21/306 

Способ изготовления полупроводникового прибора. Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть применено в процессе точного вытравливания структурны элементов прибора. При изготовлении полупроводниковых при боров подложку покрывают окисной пленкой, в которой формируют окна для получения элементов структуры, например путем диффузии фосфора. Диффузию проводят при нагревании в атмосфере кислорода, в результате чего на окисной пленке образуется пленка SI О -Р О , Окисная пленка, со 2, о держащая фосфор обладает большей растворимостью при вытравливании окон по сравнению с чистой окисной пленкой SlO . При дальнейшем избирательном травлении нанесенных слоев пленка Si О, вергается боковому травлению. Известен способ, согласно которому на полупроводниковую подложку наносят слои Р О , Для формироваSLO и SIO. ° ния окон в нанесенных слоях, используя фотолитографию, оба слоя одновременно начинают травить раствором Р-травителя. Для SiO травление происходит со скоР2°5 - ° v/сек, а для ростью 2 скоростью 600 А/сек. Так как скорости травления слоев разные, после завершения слой травления слоя Si-О, 2 необходимо продолжать травить, поэтому развивается процесс бокового вытравливания пленки SI О. Р О между пленкой фото- SlO. Известным спорезиста и пленкой собом невозможно получить окна с точной конфигурацией в слоях, нанесенных на подложку. Цель изобретения - достижение точных размеров окон, формируемых в слоях материалов, наносимых на полупроводниковую подложку. Поставленная цель достигается тем, что в нанесенном на подложку первом слое с меньшей скоростью растворокия, напрк- мер SI О , вытравливают окно, наносят второй слой с большей растворимостью, например 310 ° ° стр авливают, используя фотолитографию, над окнами в первом слое. На фиг, 1 показана полупроводниковая подложка 1 с нанесенным на нее слоем 2 с малой растворимостью. В слое сформи ровано окно. На фиг, 2 показана структура, полученная нанесением слоя 2 (фиг. 1) и слоя 3, обладающего большей растворимостью. На фиг, 3 показана структура с нанесен ным слоем фоторезиста 4, в котором сфо мдаовано окно, повторяющее конфигурацию слоя 2 На фиг. 4 показана структура с окном вылолненным в нанесенных слоях 2, 3. Пример. Кремниевую монокристалличе- скую подложку р чтипа, имеющую сопротивление 500 ом/см, нагревают и выдерживают при температуре 12ОО°С в течение 2,5 час в сухой атмосфере кислорода, в ре зультате чего на подложке образуется слой St.О толщиной Oi3 мкм. В окисной пленке, используя фотолитографию, формирую окно заданной конфигурации. Затем полученную структуру нагревают в атмосфере кислорода, содержащей фосфор, в результате чего на структуре формируется окисная пленка, содержащая фосфор Si-O Р„О, тол225шиной 0,05 мкм. Используя фотолитографию, слой SIO вытравливают из окна, сформкрованного в слое StO , с использованием Р-травителя, состоящего из 15 ч. плавиковой кислоты, 10 ч. азотной кислоты и 300 ч, воды.. Формула изобретения Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий нанесение на полупроводниковую подложку, по крайней мере, двул слоев, например Si-O и StO , 22 2 о с различной скоростью растворения и форми рование окон в нанесенных слоях, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности размеров формируемых окон, в нанесенном на подложку первом слое с меньшей скоростью растворения, например SiO , вытравливают окно, наносят второй слой с большей растворимостью, например SlO Р О , после чего его страв 1 о ливают, используя фотолитографию, над окнами в первом слое.

Фиг.З