Магнитный запоминающий элемент Советский патент 1976 года по МПК G11C11/18 

(54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области вьиис- лительной техники и может быть использовано для построения ЗУ с неразрушающим считыванием информации.

Известны магнитные заноминающие эле менты, содержащие пластину из ферромагнитного материала с ППГ с отверстиями прошитыми управляющими обмотками , Sj

Один из известных запоминающих элемен тов содержит пластину из материала с ППГ с четырьмя отверстиями, прошитыми обмотками считывания, записи и выходной flj Недостатком этого элемента является малая помехозащищенность,

Наиболее близким техническим рещением к изобретению квляется запоминаюпзлй элемент, который содержит, как и предложенный, пластину из фeppc vsaгкитнoгo матери™ ала с ПЛГ с шестью отверстиями, распололсенными симметри чно относительно одной из осей пластинЫг и управгшюище обмотки

2j. Считывание информации в таком элементе сонровон дается ее разрушением,

Целью изобретения является расширение области применения запоминающего элемента.

Поставленная цель достигается путетч-; тоrOf что в магнитном запоминающем элементе, содержащем пластину из материала с ППГ с шестью отверстиями, расположенными симметрично относительно одной из осей пластины, числовая обмотка считывания прошита через первое и шестое отверстия в противоположных направлениях, числовая обмотка заниси - считывания прошита че;:;ез второе и пятое отверстия в противоиолох ных направлениях, а разрядная обмотка прошита через третье и четвертое отверстия в противоположных направлениях Такое выполнение обмотки нозволяет нолучить эффект не разрушающего считывания информании.

На фиг. 1 изображен магнитньгй ззиоки-нающий элеамент; на фиг. 2а, 26, 2в - ис пользуемые магнитные состояния пластинь;; на фиг . За, 36 - графы неразрушающего считывания и записи, а на фиг, 4 - матрица магнитных запоминающих элементов. Магнйтиый запоминающий элемеит содержит ииастииу 1 из фер юлШгнитмого мйтер сша ППГ с шестью отверстиями 2-7, распопожвннымн симметричир относительно авртнкалькой оси пластины. Отверстия выделены одно от другого перемычками 8-12 Ширина перемьгчвд 8 между третьим 2 и четвертым 3 отверстиями влияет на уровень вььходного сяирнала и HsS размеры элемента. Ширина перемычки 11 (12) между первьш б (шестым/7) и вторы л 4 (пятым 5) о-рзверстиями должна быть такой, чтобы длина ,fciprHHTHoro KOHTjrpa вокруг этой перемычки Ж (уеъерс/пщ.В (.7) бьша больше длины магг шггйото контура вокруг отверстий 2(3) и j 4 (5). Через Третье и Четаерт9е отверсти 2 в 3 прошита в противоположных направл4нияк разряднаяобмотка 13,через STOftoe и пятое отверстия 4 и 5 прошита в противо- положных направлениях числовая обмотка зашгс - считывания 14, .через первое и шестое отверстия 6 и 7 -прошита в противЪположиых направлениях числовая обмотка считывания 15, Йспопьзуемьда магнитные состояния элемента показаны, посредством стрелочной «Oj. |Дели} на фкг, 2а (состояние 0), на фиг. j (26 (состояние ) и на фиг, 2в (промежуЬточное состояние , Неразрушающее {считывание информации осуществляется в соответствии с графом фиг. За. В первом такте в последовательное соединенные обмотки считывания 15 и записи - считывания 14 подают импульс |тока считывания 1. . Если элемент нахо; Дится в состоянии О (фиг. 2а), то в |ремычках 11, 12 происходит только упру- |гое изменение потоку и в разрядной обмот 1ке 13 возникает импульс напряжения О Есди элемент находится в состояJHHH 1 (фш% 26), то часть потока перемычек 11, 12 :1зменнет свое-«анравл ние, прцр щенИе потока замыкается по кратчайшему пути через перемычку 8 и элемент перехо- днт в промежуточное состояние П (фиг. 2в), а в разрядной {обмотке 13 возникает импульс напряжения f Щ , больший по амплитуде и дтштельности импульса U-j Во втором такте в разрядную обмотку 13 подается импульс тока „ . Процессы пере, магнинивання происходят аналогично перво-1му такту: состояние О не изменяется, а; состояние П изменяется на состояние . Запись информации выполняется по графу фиг. 36. В первом такте подают одновременно в обмотку 13 ток IP ив последовательно соединенные обмотки 14 и 15 ток Jy,. ПрЬисходит отирание информации, так как элемент переходит в состояние О (фиг. 2а), Во втором такте подают в обмотку 14 ток записи 1 , и в случае записи О в разрядную обмотку 13 ток IP , перекрыва1ощий по времени и по амплитуде ток I-, этом случае элемент остается в состоянии О. В случае когда ток 1,, не подается, перемагничивается перемычка 8 и-элемент переходит в состояние П (фнГ, 2в). В третьем такте подают ток Ip , осуществля|ющий перевод элемента из состояния П ц состояние 1 (фиг. 26). Компановка матрицы запоминающего уст ройства емкостью 2 4-разрядных числа из , предложенных магнитньк запоминающих эле-f ментов показана на фиг. 4. При этом обмотм ки 14 и 15 используются в качестве числовых, а обмотка 13 - в качестве выходной и разрядной обмотки записи. Сравнительные испытания данного магнигного запоминающего элемента с известным j показали, что он может быть, испольоован для построения ЗУ с неразрушающим считы ванием информации. Формула изобретения Магнитный запоминающий элемент, содержащий пластину из ферромагнитного материала с прямоугольной петлей .гистерезиса, с шестью отверстиями, расположенными сик метрично относительно одной из осей плао тины, и управляюшие обмотки, о т л и ч аю щ и и с я тем, что, с целью расширения области применения, числовая обмотка счи- тывания прошита через первое и шестое от верстия в противоположных направлениях, числовая обмотка записи - считывания npo-j Щита через второе и пятое отверстия в nf Тивоположных направлениях, а разряд Мотка прошита через третье: и четвертое отг ерстия в противоположных направлениях. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1. В.В. Бардиж Магнитные элементы ЦВМ Энергия, 1974 г., стр. 358. 2. Патент США № 3360787 кл. 349-174: от-26.12.67

/.

f

X

о

/

/

v

J3

Ч| y

%

t

%

tf г. /л

p

%

Ъ

.

«г. f Д

Ч.

Фиг. 26

In I 1 in

Ч

@l IrtAIpQ jjf /r