(54) ЧИСЛОВОЙ БЛОК ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА рядные обмотки, введены на пластине че« тьфе равноудаленных ряда отверстий по числу разрядов чпслового блока. Ширина перемычек между отверстиями одного psi в два раза больше ширины перемычек ме ду рядами. Адресная обмотка тока подгот ки прошита через отверстия первого и че вертого рядов, числовая обмотка записисчитывания - через отверстия второго и третьего рядов, а разрядные ofiMOTKH записи, восстановления и съема информации через отверстия третьего и четвертого рядов. На фиг. 1 изс ражен числовой блок для ЗУ; на фиг. 2 - временные диаграмм (Работы числового блока в режиме записи 1 и О и в режиме неразрушаюшего считывания; на фр. 3 - последовательность магнитных ссвл-ояний одного запоминающего элемента на многоотверстной пластине после подача соответствуюлшх управляющих токов. Числовой блок для ЗУ содержит многоотверстную пластину 1 из материала с ППГ с четьфьмя равноудале«ньй«да рядами отверстий 2-S. Сечение перемычек между соседними рядами в два раза меньше cei чения перемычек между соседними отверстиями одного рада. Печатная а/фесная {обмотка тока подготовка 6 яоследователь но проходит через все отверстая :файних рядов 2 и 5. Числовая обмотка записи- считывания 7 последовательно проходит все отверстия средних рядов 3 и 4, Раэ рядные обмотки в ирониэьшайзт соответствующие пары отверстий рнввяое 4 и 5 и служат как обмотки подачя тока в режи ме записи, так и в качестве обмоток сьема информации и обмоток восстановйения информации в режиме неразрушактего считывания. Числовая пластина ЗУБРИ работает сл дующим образом. Запись информации всегда начинается с посылки адресного тока подготовка IQ в обмотку 6, при этом устанавливается магнитное состо5шие, условно изображеннов на фиг. 3 а. идя этого состояния характерно, что материал перемычек, прилегающих к крайним отверстиям, находится в насыщенном состояний, остальная часть элемента размагничена. Запись I производится последовательностью сдвинутых во времени aja cHoro тока записи в обмотку 7 и саотаетствуташего разряднЬго тока в обмотку 8 (фиг. 2), При этом происясодит смена магнитных состояний элемента, изображенная на фиг. 3 б в. , Дпя магнитных ферритоЕьпс ..материалов с ППГ С11ра1эедливы след юи;ич-законы коммутации: переключение происходит пэ наикратчайшему пути, величина изменения магнитного Пч.1-эка определяется .мигшмальнэй пропускной способностью гзязаныых перемычек. Магнитное состо- йняе в режиме хранения ( фиг, 3.&) характерно пэлным насьидени-ем материала Б области, охватывающей зба среднт1Х отверстия элемента. Запись О осуществляется одновременным действием адресного Тока -записи и разрядного тока (фиг. 2), При этом устанавливается магнитное состояние, изображенное на фиг. 3 f (насьпцаются области вокруг второго и четвертого отверстий, элемента). В режиме считывания информащга подается последовательность импульсов адресного тэка считывания в обмотку 7 и вслед за ней импульсов токов восстановления во всех расфадных обмотках 8 (фиг. 2). Если запоминающий элемент хранит состояние 1, то происходит последовательное изменение распределения магнитного состояния элемента {фиг. , 2 ). При. этом возникают процессы переключения материала в области между третьим и четвертым отверстиями, в такте считьшания в выходной обмотке 8 индуцируется значительный сигнал считьшания. Если запоминающий элемент находится в состоянии О (фиг. 3), то это состояние д;ш токов считывания и восстановления является зaблoкиpoвa шым, в такте считывания на выходе элемента аоэникает незначительный сигнал помехи, связанный с упругими обратимыми переключениями материала в области насыщения При использовании современных материалов с большим коэффициентом прямоугольности петли гистерезиса элемент позволяет работать в званных режимах переключения, запись информации произвоится неограниченными сверху токами. При этом легко реализуется время записи инормации менее 1,5 2 мксек /более чем 5О-1ОО раз меньшее по сравнению с звестной числовой линейкой ЗУБРИ). За счет форсированного неупругого пееключения материала в неразруающего считывания выходной полезный игнал более чем в 1О« 15 раз превышает игнал, снимаемый с кзоестногэ устройгва, при тех же основных геометрических азмерах пластин. ормула изобретения Числовой блок ДЛ53 запоминающего устойства, содаржагйкЛ мисхгоотверсгную плас1чну из магёряа та с прямоугольной петлей гистерезиса, числовую, адресную и разрядные обмотки, отличающийс я тем, что, с целью повышения быстро действия и надежности числового блока, на пластине вьтоянены четьчре равноудаленных ряда отверстий по числу дав числового блока, ширина перемычек мйжду отверстиями одного ряда в два раза Оольиш ширины перемычек между рядами; .адресная обмотка тока подготовки прошита через отверстия первого и четвертого рядов, числовая обмотка записи считывания - через отверстия второго и третьего
рядов, а разряакьгй обмотки записи, воостановленин и съема информации - «ерез отверстия третьего к четвертого рядов.
Источники информадии, принятые во внимание при экспертизе;
1.Лашевский Р. А. и- др. SanoMimaющке устройства на многоотверстных ферритовых пластинах , М., Энергия , 1969.
2.Злобин В. А. , Муромкина Т. С., Поспелов П. В. Изделия из ферритов и магнитодиэлектрикоБ. М., Сов. радио , 1972.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Магнитно-полупроводниковый элемент | 1982 |
|
SU1064433A1 |
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ | 1971 |
|
SU296150A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1974 |
|
SU520621A1 |
Магнитно-полупроводниковый элемент | 1984 |
|
SU1190475A2 |
КООРДИНАТНЫЙ ТРАНСФОРМАТОР ЗАПОМИНАЮЩЕГО | 1973 |
|
SU367457A1 |
Запоминающее устройство типа 2д с неразрушающим считыванием информации на многоотверстных ферритовых элементах | 1979 |
|
SU773731A1 |
Запоминающее устройство системы 2д с неразрушающим считыванием информации на многоотверстных ферритовых элементах | 1977 |
|
SU693438A1 |
БУФЕРНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1972 |
|
SU341083A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1975 |
|
SU538422A1 |
МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ | 1972 |
|
SU358721A1 |
Авторы
Даты
1977-01-05—Публикация
1975-06-23—Подача