Магнитный запоминающий элемент Советский патент 1976 года по МПК G11C11/08 

(54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

1

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении ЗУ с неразрушающим считыванием информации.

Известны магдитные запоминающие эле- 5 менты,содержащие ферритовую пластину с отверстиями, прошитыми управляющими обмотками 1, 2.

Один из известных запоминающих элемен-0 тов содержит ферритовую пластину с отверстиями, одно из которых прошито числовой обмоткой, а два других - разрядной и выходной обмотками fl. Недостатком элемента являются ограниченные функциональные 5 возможности,

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с отверстиями, числовую об- 20 мотку, прошитую через первое и второе отверстия в противоположном направлении, и разрядную обмотку 2j. Недостатком известного элемента является разрушение информации при считьтании.25

Целью изобретения является осуществление неразрушаюшего считывания информации в запоминающем элементе.

Поставленная цель достигается путем того, что в предложенном магнитном запоминающем элементе, содержащем ферритовую платину с отверстиями, числовую обмотку, прошитую через первое и второе отверстия в противоположном направлении, и разрядную обмотку, разрядная обмотка прошита в одинаковом направлении через первое и второе отверстия и в противоположном направлении через третье отверстие.

На фиг. 1 изображен магнитный запоминающий элемент, где обозначены :3, -3, -

/ -

токи записи } -го и ( -J + 1)-го чисел соответственно.

сч Зсч,. токи счнтьшания -) го и ( ( +1)-го чисел соответственно.

1р - разрядный ток П -го разряда.

На фиг. 2 показано изменение магнитного состояния элемента под действием управляющих сигналов.

Магнитный запоминающий элемент содержит ферритовую пластину 1 с тремя отверстиями 2-4, числовую обмотку 5, прошитую через отверстия 2 и 3 в противоположном направлении, разрядную обмотку 6, прошитую через отверстия 2 и 3 в одном направлении и через отверстие 4 в противоположном направлении. На фиг. 1 показано также расположение соседнего бита 7, принадлежащего одноименному разряду соседнего числа.

Считывание информации осуществляется действием числового тока I сч. При считывании 1 перемычка между первым и вторым отверстием намагничивается вниз, при этом по полному гистерезисному циклу перемагничивается материал вокруг первого отверстия, и в разрядной обмотке наводится полезный сигнал. При считывании О упругое приращение потока в перемычке между первым и вторым отверстиями компенсируется в выходной обмотке. Восстановление осуществляется действием разрядного тока.

Запись 1 осуществляется совместным действием тока считывания и разрядного тока, а запись О - совместным действием тока записи и разрядного тока. В первом такте действует ток записи, во втором - ток

/ }. ..;

считйвания, а разрядный ток либо в первом, либо во втором такте. В третьем такте действием разрядного тока осуществляется фиксация записи.

Формула изобретения

Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с отверстиями, числовую обмотку, прощитую через первое и второе отверстия в противоположном направлении, и разрядную обмотку, о т л и ч а ющ и и с я тем, что, с целью осуществления неразрущающего считывания информации, разрядная обмотка прощита в одинаковом направлении через первое и второе отверстия и в противоположном направлении - через третье отверстие.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;

d ottMoHi,,/

t t

,.n

I

ioftfotolH