Грунтовая эмаль Советский патент 1976 года по МПК C03C7/04 

Свойства описываемой эмалиследующие:

Интервал обжига, °С840-960

Оптимальная температура обжига, °С880-900

Растекаемость гранулята, мм22-23

Растекаемость групта в смеси со стеклокристаллической эмалью, мм26-27

Формула изобретеиия

Грунтовая эмаль, включающая Si02, , СаО, Na2O, К2О, фторид из группы Сар2, Na2SiF6, NasAlFe, В20з, Мп2Оз, СоО, NiO, отличающаяся тем, что, с целью снижепия растекаемости, взаимодействия со слоем покровной эмали и обеспечения возможности использования ее для крупногабаритной химической аппаратуры, она дополнительно содержит SnO2 при следующем соотнощепии компонентов, вес. %:

SiOa65-68,8

АЬОз3,7-4,0

СаО1,0-1,2

Na2O6,5-7,4

К2О0,6-0,7

Фторид из группы

Сар2, Na2SiF6,

ЫазА1Рб2,55-2,90

В2Оз14,3-16,0

Мп2Оз0,3-0,35

СоО0,25-0,30

N100,30-0,35

ЗпОг1,70-1,80

Источник информации, принятый во внимание при экспертизе.

1. Варгин В. В. «Эмалирование металлических изделий, Мащиностроение, М., 1972.