Изобре1;ение относится к (измерительной технике, а точнее к устройствам, служащим ;для регистрации и измерения интегральных , тепловых потоков. ; Известны датчики Нернста- Эттингсхауз& на, чувствительные элементы которых выполнены; из висмута, сплава висмута-(97% ,с сурьмой (3% ), эвтектики Cd AsjNlAs |монокристаллов и пленок Cd, As2 эь|Тектики Уп Sb -WiSb. Во всех указанных материалах при неболь ших магнитных полях наблюдается экстре;мум зависимости отношения коэффициента Нернста-Эттингсхаузена к теплопроводностиЗС от магнитного поля В, что определяет опти- |Мальную величину магнитного поля, при которой чувствительность датчика A.Bfi-, зе где В - магнитная индукция, Q - коэффициент Нернста-. Эттингсхаузена, Л - теплопроводность, принимает мак.Сймальное значение. Целью изобретения является использова-J ние;-чувствительногоэлемента из матери ала с неубывающим отношением коэффициен-та Нернста-;Эттингсхаузена к теплопрюводности в широком интервале магнитных полей, что открывает i возможность регулирования.;и, в частности повышения, чувствительности за счет увеличения величины MaiV нитного поля. Цель достигается применением монокрис| талла сурьмянистого кадмия в качестве чуЛг ствительного элемента датчика интегральног го теплового потока Нер«станЗИ№ингсхауэааа, Чувствительный элемент П|редста1шяет сЬбой длинну1р пластину нелвгированного монсм кристалла антимоиида кадмия, вырезанную для получения наибольшего выходного ежгнала вдоль кристаллогра4жчесхого направп нияЛОО). Приемную часть пйастияы, ввиду большой прозрачности сурьмянистого кадмия в инфракрасном диапазоне, целесхюбраэи но покрыть чернением любым на известных .способов, обеспечив диэлектрическую раавязку между кристаллом и чернью при элек
ponpoBOWOctii последней (Соизмеримой с электропроводностью С d S b. I
На чертеже изображены зависимость О . от В для сурьмянистого Кадмия (кривая 1); и для сравнения то же зависимость для ар I 5 сеиида кадмия (кривая 2), являющегося наилучшим Материалом для iдатчиков, теплового потоке.
Анализ величины отношения коэффициента Нернста-Э1Т1Шгсхауз«1а IK.дйпяопройолги 10 иости, а также экспериментально найденная Иинейная зависимость интегралыюй ч встви- тельности от магнитного поля позволяют прИ;
Менять сурьмянистый кадмий в качестве чувствительного элемента датчика НернстаЭ1ртингсхауэена, обеспечив при этом возможрость уйравления чувстви- ельностью прибо-j ра баз ухудшения его параметров.
Ф
изобретения
о р м у л а
Применение монокристалла сурьмянистого кадмия в качестве чувствительного элем гга датчика интегрального теплового по тока Н нста-Эгтингсхаузена.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ получения монокристаллов силиката висмута BI @ SIO @ | 1990 |
|
SU1754807A1 |
Устройство для измерения температуры | 1976 |
|
SU657272A1 |
Лютеций-марганцевый сульфид с гигантским продольным эффектом Нернста - Эттингсгаузена | 2021 |
|
RU2787206C1 |
Источник электромагнитного излучения | 1982 |
|
SU1117736A2 |
Дозиметр | 1981 |
|
SU1026550A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТОРОВ | 1986 |
|
SU1466595A1 |
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ РЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ | 1972 |
|
SU347593A1 |
СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ПАРАМЕТРОВ ОДИНОЧНОГО ПРЯМОУГОЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ИМПУЛЬСА ТОКА | 1991 |
|
RU2029311C1 |
Способ выращивания монокристаллов германата висмута | 1991 |
|
SU1789578A1 |
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА | 2007 |
|
RU2357023C1 |
i
ч
Ь J
к IS 20 г« 28 HatHUfnude ufffff/ ция 8(7}
Авторы
Даты
1976-08-05—Публикация
1975-01-31—Подача