(54) СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ ворота образца с использованием 3BMi чго В значительной степени усложняет методику Облучения и является основным ее недостаг-i koM, Целью изобретения является упрощение crto соба и обеспечение равномерного легирований. Цепь достигается тем, что энергию ионоа устанавливают таким образом, чтобы длина пробега ионов была равна толщине бдучаем го образца, а образец равномерно вращают вокруг оси, перпендикулярной направлению пучка ионов. к Необходимыми гребоканиями для реапиза- дни равномерного ионного легирования являюг ся: равномерность потока заряженных частиц по сечению-падающего пучка и омывание пучком Частиц поверхности облучаемого образца.. Первое требование обеспечивает равномерность облучения всей площади образца и достигается соответствующей расфокусировкой пучка. Для достижения приемлемой равномерности (5-1О %) необходимо, чтобы сечение пучка превышало в три-четыре раза площадь, облучаемого образца, Второе требование обеспечиваег непрерывное прохождение образца под различными угйами по отношению к падающему пучку заряженных частиц. При повороте образца на угол V накопление частиц происходит на глу бинеХ« BcjCOsf в слое толщиной 1з« tJoCOS g где Ко- пробег частиц, Ьд- величина, опре деляемая среднеквадратичным отклонением Длины пробегрв. В остальном объеме образца накопления частиц в этот момент не происходит. При изменении угла Ч от О до tt/2 глубина проникновения бомбардирующих чаотиц в материал изменяется от Т д+ЬоДо О, т.е. накопление легирующих ионов происходит по всей толщине образца. Если при аналогичных условиях облучать 8ТОТ же образец с другой стороны, то на Глубине вследствие суперпозиции функций распределения, концентрация легирующих ионов будет, как показывает расчет, практически постоянной. На чертеже показано распределение концентрации внедренных ионов по глубине образца после процесса легирования. Чтобы исключить краевой (поверхностный) эффект неравномерности насыщения, необходимо выбирать голшину образца равной Периодическое облучение образца с двух сторон можно легко осуществить, закрепив его на непрерывно вращаюшемся валу электродвигателя, i аким образом, предложенный способ равномерного ионного легирования материалов прост в исполнении, при его реализации не требуется применения дорогостоящей ЭВМ для управления скоростью вращения электр двигателя. Формула изобретения Сп ос об легирования ма териал ов пу тем внедрения ионов под непрерывно меняющимся углом падения к плоскости образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и обеспечения равномерного легирования, энергию ионов устанавливают так, чтобы дЛина пробега ионов была равна толщине облучаемого образца, а образец вращают вокруг оси, перпендикулярной направлению пучка ионов, . Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1. Мейер Дж. .и др. Ионное легирование полупроводников. М., , с. 15-16. 2.0./.Х/оИ11 AERF-R 5704,1968. 3. Патент США № 3.496.О29, кл. 1481.5, 1970.
С зедняя концентрации
.
t ,
fl,6 §
I i ( I I t I I
Толщина образца
