Запоминающий модуль Советский патент 1980 года по МПК G11C11/14 

(54} ЗАПОМИНАЮЦИЙ МОДУЛЬ

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к конструкции матриц памяти на цилиндрических тонких магнитных пленках и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин.

.Известны матрицы (матричные накопители) запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках с плоскими соленоидальными адресными обмотками. В известных конструкциях матриц разрядные проводники с магнитным покрытием раополагаются параллелыю друг другу в одной плоскости (или в нескольких плоскостях, но удаленных цруг от друга настолько, что магнитная связь между магнитными пленками в разных плоскостях практически отсутствует). В этом случае магнитный поток, создаваемый в пленках током ащэесной обмотки, замыкается вне пленки или через воздух, или через специально устанавливаемый магнитный кипер.

Во всех упомянутых конструкциях дли-на пути, создаваемого адресной обмоткой

магнитного потока вне пленки больше, чем в пленке. Кроме того, применяемый для улучшения характеристик матриц магнит йый кипер имеет сложную конструкцию l .

Наиболее близким техническим решением к изобретению является матрица, {матричный накопитель), содержащая ципиндрические магнитные пленки, расположенные параллельно в одной плоскости, соленоидальные адресные обмотки, охватывающие rpyii10пу цилиндрических магнитных пленок, и экраны, вьгаолненные в виде короткозамкнутых витков провода, охватывающих цилиндрические пленки 2.

15

Недостатког ь Лацной конструкции являерся то, что магнитный поток, создаваемый в пленках адресной обмоткой, замыкается через воздух по пути, длина которого превышает длину пути в пленке. Ток адресной

20 обмотки должен создать магнитодвижущ ую силу, преодолевающую магнитные сопротивления как пленки, так и пути замыкания магнитного потока через воздух.

3 Целью изобретения яйляется уменьшение необходимых ампервитков тока аорёоной обмотки за счет уменьшения магнитного сопротивлейия пути замыкания магнит кого потока адресной обмотки и увеличение плотности размещения запоминающих элементов вдоль разрядных проводников Поставленная цель достигается тем, что в запоминающем модуле, содержащо параллельно расположенные матричные накопители, состоящие из разрядаых про:водникоБ с магнитным покрытием и адреоных обмоток, охватывающих разрядные про водники, адресные обмотки разрядных проводников смежных по вертикали матричных накопителей соединены согласно, а разрядHbie проводники расположены ни расстоянии не превышающем двух сечений адресной об мотки. , При такой конструкции магнитный поток (запоминающих элементов верхней группы пленок замыкается с магнитным потоком нижней группы пленок через малые воздушные зазоры с обеих сторон адресной, обмо-р ки, а; магнитодвижущая сила создается одновременно витками обеих половин адрео. ной обмотки. При этом длина пути магнит ного потока по воздуху существенно . длины пути в плёнйе, что значительно уменьшает магнитное сопротивление и позволяет уменьшить ампер-витки асфео.ного тока. Кроме того, замыкааи;е магнит ного потока между пленками верхней и ниж ней групп уменх шает проникновение магнит ного потока в зону соседаих адресных обмоток и позволяет уменьшить шаг размещения адресных обмоток. Для дальнейшего уменьшения af ecHo. го тока и увеличения штотности размещения запоминающих элементов между группами разрядных проводников в промежут ках между адресными обцотками, соседними вдоль разрядных проводников, может быть установлен магнитный кипер простой конструкций в виде стержней из магнитного материала. Это пЪзволявт дополнитель но уменьшить длину пути магнитного потока по воздуху и исполнительно локализовать поле афесной обмотки. На чертеже показан разрез части модуля вдоль разрядного проводника с магнитным покрытием, включающий две афеоные обмотки. Модуль сод&ржит верхнюю 1 и нижнюю 2 группы цилиндрических магнитаых пленок, являющихся разрядными проводниками, , Обе группы содержат одинаковое количес-рво цилиндрических магнитных пленок. Плев

739648 ки каждой группы располЬжень в одной плоскости параллельно одна другой с некоторым интервалом. Модуль имеет адресные обмотки, каждая но которых состоит из верхней 3 и нижней 4 половин. При подаче тока в одну из адресных обмоток возбуждаются обе ее половины 3 и 4. При этом в участках пленок, находящихся в зоне данной обмотки, возникает магнитный поток, наЛравленный в группах 1 и 2 в противоположные стороны. Магнитный поток замыкается вблизи от краев адресной о мотки через воздушные зазоры между группами i к 2 разрядных проводников. Путь замыкания магнитного потока показан на чертеже стрелками. Для уменьшения воз- душных зазоров расстояние между группами 1 и 2 должно быть как можно меньшим. Это расстояние в основном определяется диаметром провода адресной обмотки,Между группами 1 и 2 разрядных про водников в промежутках между соседними адресными обмотками может быть установлен магнитный кипер, например пермаллое- вая проволока круглого или прямоугольного сечения. Или проволока с магнитным покрь1тием. Техническая эффективность предлагаемого модуля заключается в увеличении плотности размещения запоминающих элементов в матрице и уменьшении ее габаритов, упрощении адресных формирователей и повышении экономичности запоминающего ус-рройства, Форму л а изобретения ЗaлoмиRiaющий модуль, содержащий параллельно расположённые матричные накопители, состоящие из разрядных проводников с магнитным покрытием и а/фесньгх обмоток, охватывающих разрядные прЬвода1ики, отличающийся тем, что, с целью повьгшения надежности модуля за счет уменьшения Адресных токов, в нем адресные обмотки разрядных проводников смежных по. вертикали матричных накопителей соединены согласно,.а разрядные проводники расположеньг на расстоянии, не превышающем двух сечений адресной обмотки,,..... Источники информации, гфинятые ,во внимание при экспертизе 1, Григорян Л, А. Запоминающие ус-рройства на цилиндрическшс магнитных . М., 1975, с. 99-104. ,2. Авторское свидетельство СССР №333278, кл. Q 11 С 11/14, 1972 (прототип).