Способ изготовления фотокатода на основе арсенида галлия Советский патент 1976 года по МПК H01J9/12 

1

Изобретение относится к фотоэлектронным приборам, а именно к способам изготовления фотокатодов на основе полупроводниковых материалов с отрицательным элект1рон11ым сродством.

Известен способ изготовления фотокатодов на основе полупроводниковых соединений типа , включающий прогрев .полупроводника в вакууме мм рт. ст. до 300°С в присутствии паров цезия в течение -нескольких минут, затем обработку цезием и кислородом поочередно при комнатной температуре до прекращения роста фототока 1.

Однако с течением времени чувствительность фотокатода уменьщается.

Известен также способ изготовления фотокатода на основе арсепида галлия, включающий активировку путем .многократной обработки фотокатода цезием, затем одновременно цезием и кислородом, прогрев фотокатода и повторную активировку 2.

Однако недостаточная долговечность фотокатода приводит к уменьщению его чувствительности с течением времени.

Цель изобретения-увеличение долговечности фотокатода.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу при повторной активировке каждую обработку одновременно цезием и кислородом

П)роводят до снижения фототока на 20-30% от максимума фототока, полученного лри предыдущей обработке цезием, и такие обработки ведут до прекращения роста абсолютного значения фототока, а затем производят окончательную обработку цезием до снижения фототока на 80-90% и последующий «агрев фотокатода при температуре 60-100°С в теченпе 5-10 мин.

Изготовленные этим способом фотокатоды па оспове арсенида галлия сохраняют свою долговечность в течение длительного времени (больще года).

Формула изобретения

Способ изготовления фотокатода на оспове арсенида галлия, включающий активировку путем многократной обработки фотокатода цезием, затем одновременно цезием и кислородом, прогрев фотокатода и повторную активировку, о т л и ч а ю 1Д и и с я тем, что, с целью увеличения долговечности фотокатода, при повторной активировке каждую обработку одновременно цезием и кислородом производят до снижения фототока на 20-30% от максимума фототока, полученного при предыдущей обработке цезием, и такие обработки ведут до прекращения роста абсолютного зна3чения фототока, а затем производят окончательную обработку цезием до снижения фототока на 80-90% и последующий нагрев фотокатода нри температуре 60-100°С в течение 5-10 мин.5 4 Источники информации, принятые во внймание при экспертизе. 1. Патент Англии № 1200899, ;кл. HID, 1970. 2. Патент США, № 3669735, кл. 117-224, 1970.