Магнитный запоминающий элемент Советский патент 1976 года по МПК G11C11/08 

НИИ. Разрядная обмотка 3 записи прошита через крайнее малое отверстие, выходная обмотка 4 - через малое крайнее отверстие и два раза через малое центральное отверстие в противопоставленном нанравлении. Чтение осуществляется действием числового тока /ч. При этом в зависимости от хранимой информации неремагничивается по полному гистерезисному циклу либо контур вокруг двух малых отверстий, либо контур во- ю круг малого крайнего отверстия. При этом в выходной обмотке, обхватывающей в противоположных направлениях две центральные перемычки, наводится э.д.с. одной или другой полярности. Запись проводится по заднему 15 фронту импульса тока считывания. Разрядный ток /р приблизительно вдвое больше числового тока и может либо перекрывать по времени числовой ток, либо начинать свое действие по окончании действия числового 20 тока. Сравнительные испытания предлагаемого магнитного запоминающего элемента с известным показали, что использование его в ОЗУ поз1воляет существенно упростить дещифратор 25 адреса и на 20-30% уменьш ить время цикпа обращения. 5 Формула изобретения Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину -с большим крайним и двумя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии лластины и разделенными равными по сечению перемычками, разрядную обмотку, прошитую через малое -крайнее отверстие, числовую и выходную обмотки, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повыщения быстродейств,ия элемента, числовая обмотка прошита через малое центральное отверстие и два раза через малое (крайнее отверстие в противоположном направлении, а выходная обмотка прошита два раза через малое центральное отверстие и один раз через малое крайнее отверстие Б противоположном направлении. Источники Информации, принятые во внимание при экспертизе. 1.Авт. св. № 444242, ,кл. СИс 11/08 от 20.04.73. 2.Бардиж В. В., Перекатов В. И., «Флюксор как элемент запоминающих устройств, ИЗД-1ВО ИТМи ВТ, 1962.

3

|о|оН

ч /.

jOfojo

ЧЛ1п

|0|о(о|

|0|o|ot

1О|о|о|

V

iOfofol

Ю1°И

Фиг. 2