Магнитная ячейка памяти Советский патент 1976 года по МПК G11C11/14 

1

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано для построения оперативных запоминающих устройств.

Известны магнитные ячейки памяти, содержащие пластину из магнитоодноосного материала, в которой при определенных условиях возникают стабильные цилиндрические магнитные домены (ЦМД), и различные средства дггя управления доменами, расположенные на поверхности пластины.

Одна из известных магнитных ячеек памяти содер жит пластину из магнитоодноосного материала с ЦМД и расположенные на ней токовые проводники для управления 1.

Однако эта известная ячейка характеризуется сравнительной сложностью.

Известна также ячейка памяти, содержащая пластину из магнитоодноосного материала с ЦМД и расположенные на ней токовые проводники для управления и ферромагнитную аппликадию 2.

Однако и эта известная ячейка характеризуется сравнительной сложностью и большим потребле1шем мощности.

Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и упрощение ячейки.

Для этого в магнитной ячейке памяти, содержащей пластину из магнитоодноосного материала с ЦМД, на которой расположены токовые проводники для управления и ферромагнитная аппликадия, ферромагнитная аппликадия выполнена ковщеообразной формы, а токовые проводники для управления расположены перпендикулярно ее сторонам.

На чертеже приведена схема ячейки памяти.

Ячейка памяти содержит пластину 1 из магнитоодноосного материала с щшиндрическим доменом 2, источник 3 магнитного поля смещения, ферромагнитную аппликацию 4 ковшеобразной формы и токовые проводники для управления, расположенные перпендикулярно ее сторонам, горизонтальный 5 и вертикалный 6. Ковщеообразная ферромагнитная аппликащ1я 4 может располагаться относительно токовых проводников для управления 5 и 6 различным образом: под., проводниками, между ними, над ними, - в зависимости от назначения, условий работы и технологических возможностей изготовления устройства.

В пластине 1 в присутствии постоянного поля смещения, создаваемого источником 3 и направленного перепендикулярно к поверхности пластины, под ферромагнитной аппликацией 4, играющей роль магнитостатической ловушки, находится домен 2. Под действием градиентного магнитного внешнего поля, создаваемого током, протекающим по проводникам 5 или 6, и накладываемого на поле смещения, цилиндрический домен 2 начинает перемещаться в плоскости пластины в направлении максимального уменьшения суммарного магнитного поля, т. е. вдоль сторон ковшеобразной аппликации 4. Магнитная ячейка памяти работает следующим образом. Присутствие домена 2 под одним из концов ковщеобразной аппликации 4 принимается ча нулевое состояние ячейки памяти. Тогда запись единицы в ячейку осуществляется подачей токового импульса сначала по проводнику 6, а затем по проводнику 5. При этом полярность импульсов такова, что градиентное магнитное поле заставляет домен 2 перемещаться вдоль сторон ковщеобразной аппликации 4 к позиции 1. Считывание информации с ячейки производится в позиции И ферромагнитной аппликации 4, куда домен 2 перемещается градиентными магнитными полями, создающимися импульсами тока соответствующей полярности, протекающими поочередно по проводникам 6 и 5. После считьшания информации с ячейки домен 2 возвращается в позицию 1. Если в ячейку памяти был записан нуль, что соответствует положению домена 2 в позиции О, то при считывании информации с ячейки домен 2 не поп дает в позицию И, а только лишь смещается вдоль стороны ковшеобразной ашвшкации 4, а серия импульсов J обеспечивающая возврат домена 2 в исходное состояние, заставляет его перейти в исходную позицию О. Сравнительные испытания предложенной магнитной ячейки памяти с известной показали, что она проще и позволяет снизить в несколько раз мощность, потребляемую от источника питания. Формула изобретения Магнитная ячейка памяти, содержащая пластину из магнитоодноосного материала с цилиндрическими доменами, на которой расположены токовые проводники для управления и ферромагнитная аппликация, отличающаяся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и упрощения ячейки, ферромагнитная аппликация выполнена ковщеобразной формы, а токовые проводники для управления расположены перпендикулярно ее сторонам. Источники информации принятые во внимание при экспертизе: 1.Патент США № 3460116, кл. 340-174, опубл. 05. 08. 69. 2.Боярченков М. А. и др. Магнитные доменные логические и запоминающие устройства, М., Энергия, 1974, С.63 (прототип).

2 „и

Р