Способ контроля качества интегральных монолитных схем Советский патент 1977 года по МПК H01L21/66 G01R31/28 

(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МОНОЛИТНЫХ СХЕМ лансирования транзисторов дифференциальной тестовой пары. Тестовые структуры могут содержать, кроме транзисторов дифференциальной пары, также другие компоненты - транзисторы, резисторы, диоды. Измереш1е относительных приращений тока через транзисторы и относительных приращений коэффициента усиления осуществляют в режиме микротоков. Окончательную оценку качества микросхем производят по вычисленным значениям К. Величина К- при- -bUliт.е. чем больше величина РтF гп - -1 К, тем выще качество и надежность испытуемой ИМС Величина К 50 свидетельствует о хорошем качестве контролируемых технологических процессов, а также о высоком качестве и надежности изготовленных микросхем. Для высоконадежных микросхем величина К лежит в пределах 100-200. Описываемый способ позволяет оценивать в технологических процессах изготовления монолитных микросхем качество диффузии по пластине, качество отмывок и состояние поверхности, количество золота в р-п-переходах транзисторов и т.д. Предложенный способ обеспечивает полную контролируемость технологических операций и позволяет устанавливать корреляционную связь их с электрическими параметрами компонентов микросхемы. Одновременно с этим сокращается шспо выходных контрольных операций, время периодических выборочных испытаний и обеспечивается 100%-ный контроль качества готовых ИМС. Формула изобретения Способ контроля качества интегральных монолитных схем в процессе их изготовления на кристалле путем измерения тока через р-«-переход, отличающийся тем, что, с целью повыщения достоверности контроля, на кристалле по периферии изготавливают, по меньшей мере, две тестовых ячейки с одинаковыми элементами, например, транзисторами с развитым периметром эмиттера, осуществляют их балансирование; после чего в перерыве между технологическими операциями измеряют приращение коэффициентов усиления каждого из транзисторов при заданном абсолютном значении относительного приращения тока через транзистор и определяют показатель качества по формуле| . j K. ktH) ДРщ A(n где m и n - порядковые номера тестовых ячеек; 5 - общее число тестовых ячеек (И - 2 3 4,5,...); .Рт относительные приращения коэффициентов усиления транзисторов тестовых ячеек, Д -относительное приращение тока через трак1 зисторы тестовых ячеек. Источники информащта, принятые во внимание при экспертизе: 1.Патент ФРГ №1439882 класс 21 е, 31/26 опубл.1972г., 2. Зарубежная электронная техника 1972г., N 12, стр.4 (прототип).