Источник отрицательных ионов Советский патент 1978 года по МПК H01F3/04 

Описание патента на изобретение SU543306A1

вичных ионов выполнена в виде кольцевых .электродов, расположенных мёж-f ду йонизатором и катодом. Анализ показывает, что повышение фазовой плотности тока В в гфедложен иом случае происходит за счет повышения плотности тока пучка j пер ричных ионов при одинаковых площадках распыления. J пред .„ 3 itpOT ,.паршлетрк да хде 5-гфет. frooi прототипа, J4 р. параметры дл J пред йрз.а, предложенного устройства, В свою очередь,. J пред больше прочих равных ус ловиях за счет увеличения площади ионизатора, 21Ш ггаед где и; и S s-соответственно радиус и высота ионизатора в предложенном ис TQ4Hi-IK-3j, s радиус ионизатора э прототипе На чертежа показан предлагаемый источник, общий вид. Катод 1 предлагаемого источника выполнен в виде цилиндра с конусом, изготовленного из материала, ионы которого ыеобхС5димо получить оКонцек рично катоду расположен источник пе вичнык положительных ионов, содержа щр1Й ионизатор 2, представляющий соб кольцав;/; камеру в данном варианте прямоугог ьного сечения с кольцевой щелью во в1-зутренней стенке, в которую запрессовано кольцо 3 из порист го вольфрама, назгреватель 4 ионизат ра, и систему 5 форглирования пучка первичнйк иоыор, выполненную в виде кольцевых электродов. Соосно катоду со стороны варшины его конуса распо ложена система б формирования пучка вторичнык отрицательных ионов. Источник работает следующим обра зом Создается избыточное давление паов щелочных металлов, например цезия, в кольцевой камере ионизатора 2. Пройя через предварительно нагретое вольфрамовое кольцо 3, атомы цезиз i есорбируются с его поверхности в ионовОз и поступают в зазор между ольцевьп ш электродами системы 5 форирования пучка первичных ионов . Здесь оны Qa ускоряются,формируются в прямолинейно-распространяющийся пучок и, двигаясь в радиальных направлениях к оси ионизатора, поступают на распыляемую поверхность катода 1. Выбиваемые вторичные отрицательные ионы формиру5ртся в пучок с прмощью системы формирования. Предложенный источник обладает очевидным преимуществом, более, чем на порядок увеличивая фазовую плотность тока. Формула изобретения Источник отрицательных ионов, со держащий катод из материала, распыление которого положительными ионами сопровождается эмиссией отрицательных ионов, систему вытягивания отрицателгьных ионов из прикатодной области, ионизатор для получения первичных положительных ионов и систему формирования пучка первичных ионов,о т личающийся тем,что,с целью повышения тока отрицательных ионов на зыходе из источника,ионизатор выпол-. ней в виде кольцевой камеры, внутренняя цилиндрическая поверхность которой является эмиттером первичных ; ионов, катод размещен на оси указанной камеры, а система формирования пучка первичных ионов выполнена в виде кольцевых электродов, расположенных между ионизатором и катодом. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1. Ю.И.Белоченко, Г.И. Димов, В.Г.Дубников. Препринт ИЯФ ЗУ-73, СО АН СССР. i.Midd2eb« TZyChat Pest Adaws A.Weбшша у IRepoh-t опЪН 36 Depafltfteni oJ uttivefsii PewMS Evattia 1973.

na/joiKunjeff d/jr uoffoS

ff /vofrJ majst/tff i /jf опу}1Л4С№пе/ мб/ г tfOffoS

Похожие патенты SU543306A1

название год авторы номер документа
Источник оинов 1976
  • Калыгин В.В.
SU619049A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ПУЧКА КЛАСТЕРНЫХ ИЛИ АТОМАРНЫХ ИОНОВ ГАЗА 2022
  • Черныш Владимир Савельевич
  • Миннебаев Дамир Кашифович
  • Шемухин Андрей Александрович
  • Воробьева Екатерина Андреевна
  • Киреев Дмитрий Сергеевич
  • Назаров Антон Викторович
  • Балакшин Юрий Викторович
  • Евсеев Александр Павлович
RU2796652C1
ПЛАЗМЕННЫЙ УСКОРИТЕЛЬ 1999
  • Корнфельд Гюнтер
  • Вегенер Юрген
  • Зайдель Харальд
RU2214074C2
КОМБИНИРОВАННЫЙ ИСТОЧНИК ИОНОВ С ДВУХСТУПЕНЧАТЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ РАЗРЯДОМ 2003
  • Беляев Г.Е.
  • Кондратьев Б.К.
  • Турчин А.В.
  • Турчин В.И.
  • Шумшуров А.В.
  • Конюков К.В.
RU2248641C1
Способ низкотемпературного нанесения нанокристаллического покрытия из альфа-оксида алюминия 2018
  • Гаврилов Николай Васильевич
  • Каменецких Александр Сергеевич
  • Третников Петр Васильевич
RU2676719C1
СПОСОБ ИОННО-ЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ ВНУТРЕННЕЙ ПОВЕРХНОСТИ ПРОТЯЖЕННЫХ ОТВЕРСТИЙ 2022
  • Рябчиков Александр Ильич
  • Сивин Денис Олегович
  • Корнева Ольга Сергеевна
RU2781774C1
Прямоточный релятивистский двигатель 2020
  • Сенкевич Александр Павлович
RU2776324C1
СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ВЕЩЕСТВА 2017
  • Рябчиков Александр Ильич
  • Сивин Денис Олегович
RU2666766C1
ИСТОЧНИК ИОНОВ 1990
  • Маков Б.Н.
  • Ярцев Д.И.
SU1762678A1
ИСТОЧНИК ИОНОВ 1992
  • Маков Б.Н.
RU2034356C1

Иллюстрации к изобретению SU 543 306 A1

Реферат патента 1978 года Источник отрицательных ионов

Формула изобретения SU 543 306 A1

SU 543 306 A1

Авторы

Козлов В.Ф.

Чеканов С.Я.

Пистряк В.М.

Зац А.В.

Даты

1978-08-15Публикация

1975-08-01Подача