Тиристорный логический элемент ИЛИ-НЕ Советский патент 1987 года по МПК H03K19/20 

15 Изобретение относится к импульсной технике. Известен логический элемент ИЛИНЕ, содержащий тиристор, включенный последовательно с резистором, выходной транзистор, база которого соединена с катодом тиристора, эмиттер соединен с общей шиной и катодом тиристора через диоды, а коллектор через резистор - с шиной питания; поджигающий электрод тиристора соединен с источником напряжения через последовательно включенные диод и резистор, а его управляющий электрод связан с общей шиной через резистор, входные диоды, аноды которых объединены и через резистор подключены к коллектору входного транзистора, змиттер которого непосредственно, а база через резистор связаны с общей шиной, t Наиболее близок к предлагаемому тиристорньй логический элемент ИЛИ-НЕ, содержащий тиристор, включенный последовательно с резистором выходной транзистор, база которого соединена с катодом тиристора, эмиттер соединен с общей шиной и катодом тиристора через диоды, а коллек тор через резистор связан с шиной питания; поджигающий электрод тирис тора соединен с источником напряжения через последовательно включенны Диод и резистор, а его управляющий электрод связан с общей шиной через резистор; входные диоды, аноды кото рых объединены и через резистор подключены к коллектору входного транзистора, эмиттер которого непос редственно, а база через резистор соединены с общей шиной. Данный логический элемент не обе чивает достаточной помехоустойчивос ти. Цель изобретения - повышение пом хоустойчивости - достигается тем, что в тиристорный логический элемен ИЛИ-НЕ, содержащий тиристор, включенный последовательно с резистором, выходной транзистор, база которого соединена с катодом тиристора, эмит тер соединен с общей шиной и катодом тиристора через диоды, а коллек тор через резистор связан с шиной питания, поджигающий электрод тирис тора соединен с источником напряжения через последовательно включенны диод и резистор, а его управляю1ций 2 электрод связан с обще) шлной через резистор, входные диоды, аноды которых объединены и через резистор подключены к коллектору входного транзистора, эмиттер которого непосредственно, а база через резистор соединены с общей НИНОЙ, введены дополнительные транзистор, диод и резистор, причем эмиттер дополнительного транзистора соединен с базой входного транзистора, база через цепь из последовательно включенных диодов и резистора, а коллектор через резистор соединены с шиной питания, дополнительный диод включен между коллектором входного транзистора и управЛЯЮ1ДИМ электродом тиристора, а дополнительный резистор включен между катодом тиристора и базой выходного транзистора. Принципиальная электрическая схема элемента приведена на чертеже. . Элемент содержит тиристор 1, выходной транзистор 2, входной транзистор 3, дополнительный тарнзистор 4, диоды 5-15 и резисторы 16-25. Источники питания на чертеже не показаны. Принцип работы элемента заключается в следующем. При подаче на вход элемента сигнала управления в виде импульсного трапецеидального напряжения U, , сдвинутого относительно и„ так. чтобы Uj, было равно U. в момент нарастания напряжения питания Un после интервала его периода, когда и„ 0, или постоянного напряжения, по цепи: диод 5 - резистор 19 диод 11 - переход управляющий электрод-катод тиристора 1 - протекает ток I Ijnp.cnp ) тиристор включается и запоминает поданый на него сигнал до конца периода напряжения питания элемента. В этом состоянии помехоустойчивость элемента U.Q. 50 в, так как тиристор после включения благодаря внутренней положительной обратной связи не чувствителен к помехам по цепи управления. Дпя повышения помехоустойчивости тиристорного логического элемента в выключенном состоянии между резистором 19 и управляющим электродом тиристора 1 включен в проводящем направлении диод 11, анод которого под ключен к коллектору транзистора 3. При возрастании импульсного на:пря жения питания до 2,5-3,0 В включаются транзисторы 3, транзистор 3 шунтирует переход управляющий электрод - катод тиристора 1. Таким образом, элемент может включиться только в интервале времени 0-4-5 каждого периода его напряжения питания , а это повышает помехоустойчивость элемента в состоянии 1. Транзисторы 3, 4 включаются в каж дый период питающего напряжения вне зависимости от логического элемента. Тиристор 1, в котором переход управляющий электрод - катод зашунтирован резистором 24, выключен. Для того, чтобы на него не вли ял включенный транзистор 3, в схему введен разделительный диод 11. Рассмотрим узел повышения помехоустойчивости тиристорного интегрального логического элемента в состоянии 1. Нормальная работа элемента при подаче на его вход полезного сигнала управления и, не нарушается, так как включение тиристора и запоминание им входного сигнала до конца ; данного периода его напряжения питания происходит до того момента, когда нaпpяжeIiиe питания U вырастает до 2,3 в и включаются транзис торы 3,4. Для повышения устойчивости к наведенным на выходе элемента помехам, которые выключают включенный тиристор, -между анодом этого тиристора и базой выходного транзистора включен резистор 23. Теперь при появлении на выходе элемента внешней помехи:, которая ограничивается диодом 15 на уровне минус 0,7-0,9 В, включенньй тиристор 1 не выключается, так как по цепи резистор 23 - переход база - эмиттер протекает не весь анодньш ток тиристора 1, а лишь часть его; при этом ток, протекающий через тиристор 1, достаточен для его удержания во включенном состоянии.

ТИРИСТОРНЬЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ "ИЛИ-НЕ",содержащий тиристор, включенньй последовательно, с резистором, выходной транзистор, база которого соединена с катодом тиристора, эмиттер соединен с общей шиной и катодом тиристора через диоды, а коллектор через резистор связан с шиной питания, поджигающий электрод тиристора соединен с источником напряжения через последовательно вклю~ чекные диод и резистор, а его управляющий электрод связан с общей шиной через резистор, входные диоды, аноды которых объединены и через резистор подключены к коллектору входного тран зистора, эмиттер которого непосредст- ванно, а база через резистор соединены с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости,.: в него введены дополнительные транзистор,диод и резистор, причем эмиттер дополнительного транзистора соединен с базой входного транзистора, база через цепь последовательно включенных диодов и резистора, а коллектор через резистор соединены с шиной питания, дополнительньй диод включен между коллектором входного транзистора и управляющим электродом тиристора, а дополнительный резистор включен между катодом тиристора и базой выходного транзистора.i(Лсд4^о^ГС4^ •^