Запоминающая матрица Советский патент 1977 года по МПК G11C11/16 

ферромагнитных аппликаций 3 и магниторезистивные датчики 4. Вокруг подложки 1 с чипами 2 вдоль каждого столбца матрицы располагаются катушки управления 5, а вдоль каждой строки матрицы - катушки управлеиия 6. Генераторы доменов 7 объединены последовательно в цепь записи 8, а магниторезистивные датчики 4 объединены последовательно В цепь считывания 9.

При подаче сдвинутых по фазе и меняющих свою полярность импульсов тока в пару ортогональных катушек 5, 6 в месте их пересечения создается вращающееся поле, осуществляющее продвижение ЦМД в регистре 3 чипа 2, расположенного в пересечении катушек.

В полувыбранных чипах, подверженных воздействию поля только одной из возбужденных катушек 5 или 6, продвижения ЦМД в регистрах не происходит. Если домены хранятся ца определенных участках аппликации, то происходит только их обратимое смещение. Подача импульсов тока записи в цепь записи 8 приводит к генерации ЦМД только в чипе, расположенном в месте пересечения возбужденных катушек 5 и 6. В остальных чипах генерации ЦМД не происходит, поскольку в них магнитное поле либо меняется только по одной координате, либо вообще отсутствует.

Через цепь считывания 9, соединяющую магнрторезистивные датчики чипов 2, сигнал с датчика выбранного чипа передается к усилителю считывания. Для того, чтобы с магниторезистивных датчиков полувыбранных

чипов сигналы не поступали на вход усилителя и не маскировали сигнала с выбранного чипа, в полувыбранных чипах около магниторезистивных датчиков не должно быть цилиндрических магнитных доменов. Это достигается тем, что обращение к любому регистру всегда заканчивается на определенной позиции, в которой генерация домена при записи не производится.

Формула изобретения

Запоминающая матрица, содержащая в каждом узле пластину из магнитоодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменами с расположенными на ней регистром сдвига из ферромагнитных аппликаций и магниторезистивным датчиком и катушки управления, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия матрицы и снижения потребляемой мощности, катушки управления выполнены в виде ортогональных секций, каждая из которых охватывает пластины из магнитоодноосного материала, принадлежащие одноименным строкам (столбцам) матрицы, а все магниторезистивные датчики, расположенные на указанных пластинах, соединены последовательно.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.ШЕЕ Trans. Magn., V. MAG-6, № 3, 1970, p. 447.

2.IEEE Trans. Magn., V. MAG-9, № 3, 1973, p. 433.

nCVyffXXWWgPP oocV pUQOcxxxxYYT

X;YYXXX OOO ofeooooqbooooog

SSSSS.