Способ записи информации в оперативноезАпОМиНАющЕЕ уСТРОйСТВО HA цилиНдРичЕСКиХМАгНиТНыХ дОМЕНАХ Советский патент 1981 года по МПК G11C7/00 G11C11/14 G11C11/155 

Магнитоодноосная пленка 1 с расположенной на ней ферромагнитной аппликацией 2 (фиг. 1а) помещается в магнитное поле 3 смещения, направленное перпендикулярно поверхности пленки 1. Величина поля 3 смещения такова, что пленка 1 намагничена до насыщения. После этого к пленке 1 с аппликацией 2 (фиг, 16) прикладывают планарное магнитно поле 4 и намагничивают аппликацию 2 до насыщения, после чего уменьшают поле 3 смещения до величины поддержания стабильных ЦМД. При этом вертикальная компонента поля рассеивания аппликации 2 зарождает ЦМД 5, поскольку направление этой компоненты противоположно полю 3 смещения. Если убрать планарное поле 4 (фиг. 1в), то под аппликацией 2 сохраняется стабильность ЦМД 5.

При воздействии описанной последовательности операций на матрицу ячеек памяти (фиг, 2), в которых пермаллоевые аппликации 2 выполнен Г-образной формы, в перекрестии ортогональных шин ОЗУ б и 7, в каждой ячейке памяти возникает ЦМД.

Если планарное поле 4 направлено так, как показано на фиг, 3 а, то на обоих концах аппликации 2 возникает одинаковая максимально возможная плотность потока рассеиван что приводит .к возможности зарождения двух ЦМД 5, а направление планарного поля 4, показанное на фиг,3 в, создает только одно место в аппликации 2, в котором зарождается ЦМД,

Таким образом, предлагаемый способ позволяет достаточно просто с помощью всего лишь двух источников магнитного поля (например, в виде токопроводящих катушек) записать информацию в ОЗУ, т,е, одновременно зародить ЦМД во всех ячейках матрицы.

Формула изобретения

Способ записи информации в оперативное .запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах, основанный на подаче импульсов тока в ортогональные шины оперативного запоминающего устройства, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа записи информации, намагничивают магнитоодноосную пленку до насыщения магнитным полем смещения, направленным перпендикулярно ее поверхности, прикладывают планарное магнитное поле и намагничивают до насыщения ферромагнитные аппликации, снижают магнитнсэе поле смещения до величины, соответствующей существованию в магнитоодноосно пленке устойчивых цилиндрических магнитных доменов, и снимают планарное магнитное поле.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент QUA 3591999,кл.340-17 опублик, 1973,

2,IEEE Trans,Magn,, V,12 4, 1976, p. 346 (прототип) ,

jX

И i М It

./

/ / /

, ,,

С

а

б Риг.З