Анизотропный травитель Советский патент 1977 года по МПК H01L21/465 

Описание патента на изобретение SU557434A1

1

Изобретение относится к области электронной техники, а именно, к технологии производства полупроводниковых приборов. Оно может быть использовано при анизотроном травлении кремния в процессе произвол ства полупроводниковых структур с диэлектрической изоляцией.

Известен анизотропный травитель кремния ij , состоящий из гидроокиси калия или натрия и воды. Недостатком травите- ля является неудовлетворительное качество вытравленного рельефа,

Наиболее близким техническим решением является анизотропный гразигель 2 пре

имущественно для кремния с ориентацией (100), содержаший, вес.%: гидроокись шелочного металла, например калия, 50 и вод 50.

Недостатком травителя является низкое полирующее действие в кристаллографической плоскости (100), что приводит к образованию дефектов травления в плоскости дна вытравливаемого рельефа в виде пира-. МИД с гранями (Ш).

Целью изобретения является повышение полирующего действия в направлении цяоскости (100) для широкого диапазона глубин вытравливаемого рельефа.

Поставленная цель достигается тем, что в травитель дополнительно введена перекись водорода при следующем соотношении компо нентов, вес.%:

Гидроокись калия2-15

Перекись водорода0,3-4,0

Вода97.6-81,0

Использование предложенного анизотропного травителя кремния позволяет повысить чистоту поверхности дна вытравливаемых впадин (плотность пирамид с гранями (Ш) составляет менее 10 см ); при этом скорость травления кремния в направлении плоскости (10О) равЕШ 0,2-1,5 мкм/мин при температуре травителя 80-2 С.

Пример 1. Травитель составлен из следующих компонентов, вес.%: Гидроокись калия2,5

Перекись водорода0,4

Деконизованная вода97,1

В кварцевом стакане приготавливают 1 л 2,5%-ного водного раствора гидроокиси кааяя, приливают 3,5 мл 30%-ного раствора перекясв водорода. Смесь нагревают в стакане, закрытом водоохлаждаемой крышкой, до температуры 8О-2 С. Затем в нагретую смесь помешаю одастины кремния КДБ-4,5 с ориентацией .поверхности в плоскости (100) и с защитной маской из двуокиси кремния толщиной 0,8 мкм.. Элементы защитной маски выполнены в виде окон прямоугольной формы с размерами сторон 160х8О мкм. В течение 30 мин травления образуется рельеф глу 1иной 40 мкм, при этом средняя скорость травления кремния составляет , 1,3 мкм /мин. Поверхность рельефа выглядит зеркальной (дефекты в виде пирамид с гранями (Ш) лаблюдаются редко, плотность их не превышает 1О см). Оценка качества поверхности микрорелье фа проводилась с помощью микроинтерферометра МИИ-4. Пример 2. Проводилось травление такихже, какв примере 1, кремниевых плас тин в травителе состава, вес.%: Гидроокись калия8,0 Перекись водорода2,0 Деионизованная вода 9О,О Температуру травителя поддерживают на уровне 8О i 2 С, при этом скорость травления кремния равна 0,6 мкм/мин. Поверхность дна впадип аыгляцит зеркальной, плот ность пирамид с гранями (Ш) составляет 0,8 . 1О± см . Пример 3. Проводилось травление таких же, как и в примерах 1, 2, кремниевы пластин в травителе состава (вес.%): 34 Г шроокись .калия15 П4рекись водорода4 Деиониэованная вода81 Температуру травителя поддерживают на уровне 80 2 С, при этом средняя скорость травления кремния равна 0,2 мкм/мин. По верхность дна отверстий выглядит зеркальной (плотность пирамвд с гранями ( Ш ) составляет 0,3 . 10 см. Травитель обеспечивает высокое качест во вытравливаемого рельефа и позволяет повысить процент выхода годных структур на операции вытравливания релье Формула изобретения Анизхэтропный травитель, преимущественно для кремния с ориентацией (100), содержащий гидроокись щелочного металла, например калия, и воду, отличаюшийс я тем, что, с целью повышения его полируюшего действия в направлении плоскости (1ОО) для широкого диапазона глубин вытравливаемого рельефа, он дополнитель но содержит перекись водорода при еледующем соотношении компонентов, вес.%: Гидроокись калия2-15 Перекись водорода 0,3-4 Вода81-97,7 i . , .1 Источники информаичи, принятые во внимание при экспертизе: 1.Авторское свидетельство СССР № 352539,. С 01 В 33/02, 1974. 2.Патент Японии № 48-26568, кл. 99 (5) С 3, 1974.

Похожие патенты SU557434A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ АНИЗОТРОПНОГО ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ 1996
  • Скупов В.Д.
  • Смолин В.К.
RU2106717C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ СТРУКТУР 1995
  • Хаустов Владимир Анатольевич
RU2090952C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ НА ИЗОЛЯТОРЕ СТРУКТУР 1992
  • Хаустов Владимир Анатольевич
RU2070350C1
Полирующий травитель для полупроводниковых кристаллов и способ травления 1980
  • Бакланов М.Р.
  • Свешникова Л.Л.
  • Репинский С.М.
  • Земсков С.В.
  • Митькин В.Н.
SU860645A1
Состав для травления поверхности полиимидного материала 1977
  • Шикина Капитолина Ильинична
  • Соколов Анатолий Владимирович
  • Есенкова Людмила Александровна
  • Шихова Татьяна Васильевна
SU660999A1
Травитель 1973
  • Михайлов Юрий Александрович
  • Новиков Валентин Васильевич
  • Носков Анатолий Иванович
  • Уманская Светлана Нахимовна
SU448253A1
Завод полупроводниковых приборов 1970
  • Артемов А.С.
SU334852A1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 1989
  • Кастрюлев А.Н.
  • Розес И.М.
  • Ткачева Р.И.
  • Сидорова М.Н.
SU1679911A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 2014
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Королева Наталья Александровна
RU2559166C1
СПОСОБ ЗАЩИТЫ УГЛОВ ТРЕХМЕРНЫХ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЕ ПРИ ГЛУБИННОМ АНИЗОТРОПНОМ ТРАВЛЕНИИ 2014
  • Ушков Александр Викторович
RU2568977C1

Реферат патента 1977 года Анизотропный травитель

Формула изобретения SU 557 434 A1

SU 557 434 A1

Авторы

Карантиров Николай Федосеевич

Клюбина Зоя Дмитриевна

Михайлов Юрий Александрович

Носков Анатолий Иванович

Петров Сергей Васильевич

Даты

1977-05-05Публикация

1976-03-02Подача