1
Изобретение относится к датчикам, измеряющим и контролирующим температуру, а более конкретно к датчикам, изготовленным из полупроводниковых материалов, позволяющим измерять температуру и ее отклонение от заданного значения и предназначенным для использования во всех областях народного хозяйства.
Известны датчики температуры, использующие свойства полупроводниковых материалов и приборов. Такого рода датчики, как пр.авило, используют изменение проводимости полупроводникового материала (прибора) с изменением температуры. Для их нормальной работы требуются источники питания, усилители, цепи обратной связи, мостовые схемы для определения изменения падения напряжения на образце 1-3.
Целью настоящего изобретения является снижение стоимости изготовления и эксплуатации датчика, увеличение его надежности, повышение точности измерения температуры.
Это достигается применением карбида кремния кубической модификации, выращенного термическим разложением метилтрихлорсилана на графитовом стержне и имеющего плавно изменяющийся по одному направлению градиент концентрации, в качестве термочувствительного элемента датчика температуры.
На чертеже изображен вариант выполнения предлагаемого датчика температуры.
Термочувствительный элемент 1 вырезан из цилиндрического поликристалла, имеющего
радиальный градиент концентрации, т. е. концентрация при.месей в котором выполнена плавно из.меняющейся в направлении от одного омического контакта к другому. (Направление градиента концентрации на рисунке обозначено вектором п). Электрические контакты 2 нанесены на поверхность образца в области с различной концентрацией при.меси. К контактам приварены выводы 3, которые одновременно служат для механического крепления термоч)вствительного элемента в диэлектрической раме 4. С помощью проводников 5 датчик подсоединен к электроизмерительному прибору 6.
При изменении температуры в рабочей камере, в которой находится датчик, в последне.м возникает ЭДС, величина и знак которой пропорциональны относительному изменению температуры.
Возникшая ЭДС сохраняется длительное
время (5-6 ч). При изменении температуры
в рабочей камере до исходного значения ЭДС
спадает до нуля.
Использование данного датчика температуры имеет следующие преимущества;
датчик очень прост в изготовлении, так как требует только нанесения омических контактов и приварки выводов;
для нормальной работы датчика не требуются источники питания, так как в самом датчике генерируется ЭДС за счет изменения температуры окружающей среды;
измеряемая ЭДС слабо зависит от сопротивления нагрузки (при изменении сопротивления нагрузки от бесконечности до 5 кОм при собственном сопротивлении датчика 100 кОм измеряемая ЭДС изменяется на 20%);
датчи-к нормально работает в интервале 20-1000°С в условиях повышенного уровня радиации, в агрессивных средах.
Датчик может быть использован в том случае, если необходима информация о ходе и величине изменения темнературы.
4
Формула изобретения
Применение карбида кремния кубической модификации, выращенного термическим разложением метилтрихлорсилана на графитовом стержне и имеющего плавно изменяющийся по одному направлению градиент концентрации, в качестве термочувствительного элемента датчика температуры.
Источники информации, принятые во внимание При экспертизе
1.Авторское свидетельствоСССР NS 275162, кл. G 01k 7/16, 1970;
2.Авторское свидетельствоСССР № 325516, кл. G 01k 7/16, 1972;
3.Патент Франции № 2178957, кл. G 01 k 7/22, опубл. 1973.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Термометр сопротивления | 1981 |
|
SU985715A1 |
Способ получения легированного карбида кремния | 1988 |
|
SU1546421A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРА | 1994 |
|
RU2084032C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР | 2010 |
|
RU2446511C1 |
МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1999 |
|
RU2170993C2 |
Детектор лазерного излучения ИК-диапазона | 2019 |
|
RU2709413C1 |
Позистор | 1979 |
|
SU894805A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ СЕНСОРА ГАЗООБРАЗНЫХ ТОКСИЧНЫХ ВЕЩЕСТВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ГРАФЕНА | 2017 |
|
RU2659903C1 |
МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДИОД С ВНУТРЕННИМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ | 2020 |
|
RU2744931C1 |
Способ изготовления алмазного диода Шоттки | 2023 |
|
RU2816671C1 |
Авторы
Даты
1977-07-15—Публикация
1975-07-25—Подача