1
Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к керамическому материалу с низким коэффициентом термического расширения (КТР).
Известен керамический материал на основе кристаллизующейся стеклофритты системы Li2O-А 2Оз-SiOa с КТР в интервале температур О-1000°С менее 1510-Vгpaд. С. Такой материал при отношении А12Оз/Ь12О в пределах 1,0-1,5 имеет следуюш,ий состав, вес. %: Li2O 3,5-7,5; AUOg 5-30; SiO2 65-80 .
Материал изготавливают по стекольной технологии, включающей термическую обработку в платиновых тиглях при температуре 1500-1600°С. При этом необходимо проводить направленную кристаллизацию со специальными добавками в качестве инициатора кристаллизации с целью получения материала с КТР, близким к нулю.
Стекольная технология не позволяет изготавливать образцы сложной конфигурации, необходимой для применения в приборах СВЧ.
Наиболее близким к изобретению техническим решением является шихта для изготовления керамического материала, включающая, вес. %:Si02 72-73,0; А120з 13,0-13,6 (в виде пирофиллита); Ы2СОз 14,4 2.
Однако известный материал имеет нестабильные свойства, вызванные зависимостью
их от материалов различных месторождений пирофиллита.
Цель изобретения - повышение стабильности коэффициента линейного расширения в интервале температур 20-200°С.
Достигается это тем, что шихта, включающая SiOa, АЬОз и Ы2СОз, дополнительно содержит 25гО-В2Оз при следующем соотношении компонентов, вес. %:
АЬОз18,9-19,6
SiO261,8-64,3
Li2C0314,5-15,1
23гО-В20з1 - 4,8
Введение добавки двухстропциевого бората обеспечивает получение керамических изделий с низким значением КТР по технологии изготовления керамики, что позволяет в свою очередь стабилизировать физические свойства.
Пример. Для получения материала предлагаемого состава используют реактивы: двуокись кремния, окись алюминия, литий углекислый.
Двухстронциевый борат (25гО-В2Оз) синтезируют при температуре 1150 + 20°С из борной кислоты (НзВОз 70,2 вес. %) и углекислого стронция (5гС(Эз 29,8 вес. %) и размалывают до величины зерна 1-2 мкм.
Для получения изделий сложной формы синтез ведут в два приема.
Вначале тщательно смешивают мокрым способом окись алюминия, окись кремния и литий углекислый в фарфоровой мельнице при соотношении массы, шаров и воды, равном 1:2:2, в течение 12-14 ч, затем массу просушивают, гранулируют и обжигают в керамических корундовых лодочках при температуре 1300 ± 20°С.
При сухом помоле спека вводят двухстронциевый борат. Введение менее 1 % двухстронциевого бората не обеспечивает получение материала с низким КТР при спекании, что вызывает непригодность его применения в резонаторе устройства. Введение более 4,8% двухстронциевого бората приводит к деформации и оплавлению образцов, к увеличению
КТР, это вызывает непригодность его применения в резонаторе СВЧ.
Изделия формуют методом горячего литья под давлением. Окончательный обжиг проводят при температуре 1250±20°С. Оптимальное содержание шихты для предлагаемого керамического материала следующее, вес. %: АЬОз 19,3; SiOa 63,4; LiaCOg 14,9; 25г-В2Оз 2,4.
Состав и свойства предлагаемого керамического материала приведены в таблице.
На основе предлагаемого материала с указанными свойствами были изготовлены стержни резонаторов СВЧ приборов. Использование
литиевой керамики позволило создать 2-3-х кратный запас разрабатываемых приборов СВЧ техники по стабильности.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Керамическая масса | 1973 |
|
SU472919A1 |
Композиция для соединения керамических деталей | 1978 |
|
SU749817A1 |
Стекло | 1977 |
|
SU639824A1 |
Шихта для изготовления керамического материала | 1977 |
|
SU734167A1 |
Глазурь | 1975 |
|
SU537050A1 |
ГЛАЗУРЬ | 1972 |
|
SU425861A1 |
Силикатная эмаль | 1959 |
|
SU131472A1 |
Стекло для спаивания с алюминием | 1975 |
|
SU523056A1 |
Стекло | 1975 |
|
SU544622A1 |
Керамическая масса | 1983 |
|
SU1126559A1 |
Формула изобретения Шихта для изготовления керамического материала, включающая АЬОз, SiOs, LizCOs, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности коэффициента линейного расширения в интервале температ ур 20- 200°С, она дополнительно содержит 25гО-В2Оз 25 соотношении компонентов. следующем %: 20 АЬОз18,9-19,6 SiOg61,8-64,3 ЫгСОз14,5-15,1 25гО-В2Оз1 - 4,8 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США № 3681097, кл. 106-39, 972. 2. «J. Сегат. Soc. Jap., 1973, V 81, 931, . 8190.
Авторы
Даты
1977-07-30—Публикация
1976-04-12—Подача